продукты Поставщики Sign in Register

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Spot supplier in China,YJDN TECHNOLOGY CO., Ltd was established in 2008. One of the largest electronic components distributors in Hongkong and Shenzhen, China.YDJN provides a full range of services

Manufacturer from China
Активный участник
3 лет
Главная продукты. Профиль Компании Контроль качества Свяжитесь с нами просят квоту
Русский язык
Главная / продукты / Field Effect Transistor /

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SI7942DP-T1-GE3

Категории продукта

Интегральные схемаы ICS

 [3000]

Обломок IC памяти

 [3000]

Сетноой-аналогов амортизатор IC

 [2527]

Микроконтроллеры и врезанные процессоры

 [3000]

Транзистор влияния поля

 [1828]

Модуль силы IGBT

 [1002]

Триод диода

 [303]

Общецелевой конденсатор

 [41]

Соединения соединителей

 [83]

Индуктор силы SMD

 [100]

Компонент реле

 [203]

Взрыватели защиты сети

 [195]
контакт
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissVicky
контактная информация
контакт
China Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SI7942DP-T1-GE3 wholesale
  • China Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SI7942DP-T1-GE3 wholesale

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SI7942DP-T1-GE3
Спросите последнюю цену
Номер детали :SI7942DP-T1-GE3
Изготовитель :Vishay Siliconix
Описание :MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
Категория :Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Семья :Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Серия :TrenchFET®
Место происхождения :Оригинал
Количество минимального заказа :Могущий быть предметом переговоров
Срок поставки :Могущий быть предметом переговоров
Условия оплаты :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Способность поставки :100000
more
контакт

Add to Cart
Посмотреть описание продукта

Спецификации SI7942DP-T1-GE3

Состояние части Активный
Тип FET N-канал 2 (двойной)
Особенность FET Ворота уровня логики
Стеките к напряжению тока источника (Vdss) 100V
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C 3.8A
Rds на (Макс) @ id, Vgs 49 mOhm @ 5.9A, 10V
Id Vgs (th) (Макс) @ 4V @ 250µA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs 24nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds -
Сила - Макс 1.4W
Рабочая температура -55°C | 150°C (TJ)
Устанавливать тип Поверхностный держатель
Пакет/случай PowerPAK® SO-8 двойное
Пакет прибора поставщика PowerPAK® SO-8 двойное
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

Упаковка SI7942DP-T1-GE3

Обнаружение

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SI7942DP-T1-GE3Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SI7942DP-T1-GE3Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SI7942DP-T1-GE3Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SI7942DP-T1-GE3

Метки товара:

mosfet array

mosfet array ic

npn transistor array
Запрос Корзина 0
может, тебе нравится
BLF6G20-230PRN, обломок RF 118 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля
BLF6G20-230PRN, обломок RF 118 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля
BLF6G22-180PN, обломок RF 135 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля
BLF6G22-180PN, обломок RF 135 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля
BLF6G22LS-180PN, обломок RF 11 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля
BLF6G22LS-180PN, обломок RF 11 MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLD6G21L-50,112
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLD6G21L-50,112
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STW24NK55Z одиночные
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля STW24NK55Z одиночные
Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMP2035UTS-13
Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMP2035UTS-13
Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля IRF7752
Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля IRF7752
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLF6G27-10GHJ
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLF6G27-10GHJ
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLF6G38LS-50,118
Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLF6G38LS-50,118
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMS3014SSS-13 одиночные
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMS3014SSS-13 одиночные
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SUD70090E-GE3 одиночные
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SUD70090E-GE3 одиночные
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля IPW50R250CP одиночные
MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля IPW50R250CP одиночные
Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля ZXMP6A18DN8TA
Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля ZXMP6A18DN8TA
Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля FDG6321C
Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля FDG6321C
Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля IRF7750
Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля IRF7750
отправить сообщение с этим поставщиком
*Из:
*Для того, чтобы:

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

*Предмет:
*Сообщение:
остальные персонажи : (0/3000)
контакт

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4

контакт
Требование о представлении