продукты Поставщики Sign in Register

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Spot supplier in China,YJDN TECHNOLOGY CO., Ltd was established in 2008. One of the largest electronic components distributors in Hongkong and Shenzhen, China.YDJN provides a full range of services

Manufacturer from China
Активный участник
3 лет
Главная продукты. Профиль Компании Контроль качества Свяжитесь с нами просят квоту
Русский язык
Главная / продукты / Field Effect Transistor /

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля NTZD3154NT1G

Категории продукта

Интегральные схемаы ICS

 [3000]

Обломок IC памяти

 [3000]

Сетноой-аналогов амортизатор IC

 [2527]

Микроконтроллеры и врезанные процессоры

 [3000]

Транзистор влияния поля

 [1828]

Модуль силы IGBT

 [1002]

Триод диода

 [303]

Общецелевой конденсатор

 [41]

Соединения соединителей

 [83]

Индуктор силы SMD

 [100]

Компонент реле

 [203]

Взрыватели защиты сети

 [195]
контакт
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissVicky
контактная информация
контакт
China Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля NTZD3154NT1G wholesale
  • China Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля NTZD3154NT1G wholesale

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля NTZD3154NT1G
Спросите последнюю цену
Номер детали :NTZD3154NT1G
Изготовитель :НА полупроводнике
Описание :MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563
Категория :Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Семья :Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Место происхождения :Оригинал
Количество минимального заказа :Могущий быть предметом переговоров
Срок поставки :Могущий быть предметом переговоров
Условия оплаты :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Способность поставки :100000
more
контакт

Add to Cart
Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Спецификации NTZD3154NT1G

Состояние части Активный
Тип FET N-канал 2 (двойной)
Особенность FET Стандарт
Стеките к напряжению тока источника (Vdss) 20V
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C 540mA
Rds на (Макс) @ id, Vgs 550 mOhm @ 540mA, 4.5V
Id Vgs (th) (Макс) @ 1V @ 250µA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs 2.5nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds 150pF @ 16V
Сила - Макс 250mW
Рабочая температура -55°C | 150°C (TJ)
Устанавливать тип Поверхностный держатель
Пакет/случай SOT-563, SOT-666
Пакет прибора поставщика SOT-563
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

Упаковка NTZD3154NT1G

Обнаружение

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля NTZD3154NT1GМассивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля NTZD3154NT1GМассивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля NTZD3154NT1GМассивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля NTZD3154NT1G

Метки товара:

npn transistor array

metal oxide semiconductor field effect transistor

darlington transistor array
Запрос Корзина 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4