Категории продукта

Обломок IC памяти

[11]

Обломоки датчика

[10]

Обломок IC силы

[61]

Индукторы конденсаторов резисторов

[34]

Микроконтроллер IC

[15]

Соединитель IC

[12]

Обломок IC переключателя

[15]

Модуль интерфейса связи

[10]

Обломок IC реле

[10]

Обломок водителя мотора

[10]

Транзистор диода

[14]

Преобразователь данных IC

[10]

Усилитель IC

[10]

контакт

CO. электроники Шэньчжэня Zhaocun, Ltd.

Город:shenzhen

Страна/регион:china

Контактное лицо:Mrwill

контактная информация

контакт

Уровень n 650V 31.2A Tc 277.8W PG-TO220-3 логики Mosfet канала n наивысшей мощности IPP65R110CFDA

Спросите последнюю цену

Номер модели :IPP65R110CFDA

Место происхождения :Соединенные Штаты

Количество минимального заказа :50 PCS

Условия оплаты :L/C, D/A, D/P, T/T

Способность поставки :6K PCS

Срок поставки :2-3 дня

Упаковывая детали :50 PCS/Tube

Категория :Одиночные FETs, MOSFETs

Mfr :Технологии Infineon

Серия :Автомобильный, AEC-Q101, CoolMOS™

Состояние продукта :Активный

Тип FET :N-канал

Технология :MOSFET (металлическая окись)

Стеките к напряжению тока источника (Vdss) :650V

Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C :31.2A (Tc)

Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше) :10V

Rds на (Макс) @ id, Vgs :110mOhm @ 12.7A, 10V

Id Vgs (th) (Макс) @ :4.5V @ 1.3mA

Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs :118 nC @ 10 v

Vgs (Макс) :±20V

Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds :3240 pF @ 100 v

Диссипация силы (Макс) :277.8W (Tc)

Рабочая температура :-40°C | 150°C (TJ)

Устанавливать тип :Через отверстие

Пакет прибора поставщика :PG-TO220-3

контакт

Add to Cart

Посмотреть описание продукта

Запрос Корзина 0