MMRF1314HR5 - это транзистор высокочастотного питания, изготовленный компанией NXP, специально разработанный для высокопроизводительных RF-приложений.
Основные параметры
- Тип продукции: МОСФЕТ-транзисторы (транзисторы радиочастотного металлического оксида полупроводникового поля)
- Производитель: NXP
- Полярность: N-канал
- Пакет: SOT1787
- Технологии: LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) - полупроводники из оксида металла с боковой диффузией
Электрические параметры
- Частота работы: от 1200 до 1400 МГц
- Выходная мощность: 1000 Вт (пик)
- Типичная прибыль (dB): 15,5 дБ @ 1200 МГц (специфическая прибавка может варьироваться в зависимости от частоты)
- Напряжение отключения источника отвода (Vds): не указано прямо, но транзисторы LDMOS обычно имеют высокое разрывное напряжение
- Постоянный отводный ток (Id): не указано напрямую, но определено требованиями к применению и конструкции
- Напряжение порта-источника (Vgs): -6 V до +10 V (диапазон для регулирования напряжения шлюза)
- Рассеивание энергии (Pd): не указано напрямую, но требует хорошей конструкции рассеивания тепла для высокомощных применений
Операционная температура
- Максимальная рабочая температура: +150°C
- Минимальная рабочая температура: -40°C
Характеристики применения
- Операция по широкополосной связи: Внутреннее сопоставление ввода и вывода для удобной работы и использования широкополосной связи
- Гибкость конфигурации: может использоваться в одноконечной, толкательной или квадратной конфигурации
- Высокая прочность: Подходит для импульсных приложений, особенно отлично подходит для высокомощных военных и коммерческих радарных приложений в полосе L
Дополнительная информация
- Пакет/пакет: упаковка SMD/SMT (Surface-Mount Device/Surface-Mount Technology), подходящая для технологии установки на поверхности
- Количество упаковки: обычно упакованы в определенном количестве (например, 50 штук) на единицу
