Технологию ltd электроники Шэньчжэня ATFU
Shenzhen ATFU Electronics Technology LTD
Add to Cart
ОСОБЕННОСТИ
• Высокая частота перехода: fT = 200 MHz (тип.)
• Комплементарный к 2SA1930
Электрические характеристики (Tc = 25°C)
|
Характеристики |
Символ |
Условие испытаний |
Минута |
Тип. |
Макс |
Блок |
|
Течение выключения сборника |
ICBO |
VCB = 180 V, IE = 0 |
- |
- |
5,0 |
μA |
|
Течение выключения излучателя |
IEBO |
VEB = 5 V, IC = 0 |
- |
- |
5,0 |
μA |
|
Пробивное напряжение коллектор- эмиттера |
ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР V (BR) |
IC = 10 мам, IB = 0 |
180 |
- |
- |
V |
|
Увеличение DC настоящее |
hFE (1) |
VCE = 5 V, IC = 0,1 A |
100 |
- |
320 |
|
|
hFE (2) |
VCE = 5 V, IC = 1 A |
50 |
- |
- |
||
|
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера |
VCE (сидел) |
IC = 1 A, IB = 0,1 A |
- |
0,16 |
1,0 |
V |
|
напряжение тока Основани-излучателя |
VBE |
VCE = 5 V, IC = 1 A |
- |
0,68 |
1,5 |
V |
|
Частота перехода |
fT |
VCE = 5 V, IC = 0,3 A |
- |
200 |
- |
MHz |
|
Емкость выхода сборника |
Удар |
VCB = 10 v, IE = 0, f = 1 MHz |
- |
16 |
- |
pF |
Абсолютный максимум оценок (Tc = 25°C)
|
Характеристики |
Символ |
Оценка |
Блок |
|
|
Напряжение тока коллектора- база |
VCBO |
180 |
V |
|
|
Напряжение тока коллектор- эмиттера |
VCEO |
180 |
V |
|
|
напряжение тока Излучател-основания |
VEBO |
5 |
V |
|
|
Течение сборника |
IC |
2 |
|
|
|
Ток базы |
IB |
1 |
|
|
|
Диссипация силы сборника |
Животики = 25°C |
ПК |
2,0 |
W |
|
Tc = 25°C |
20 |
|||
|
Температура соединения |
Tj |
150 |
°C |
|
|
Диапазон температур хранения |
Tstg |
−55до150 |
°C |
|
Применения
• Применения усилителя силы
• Применения усилителя задающего каскада
