Обломок 4Кбит флэш-памяти ФМ24КЛ04Б-ГТР голодает двухпрободная вспышка последовательного интерфейса серийная ФРАМ
Описание
ФМ24КЛ04Б энергонезависимая память 4-Кбит используя предварительный ферроелектрик процесс. Ферроелектрик оперативное запоминающее устройство или Ф-РАМ слаболетучи и выполняют читают и пишут подобное РАМ. Он обеспечивает удерживание достоверных данных на 151 лет пока исключающ сложности, накладные расходы, и на уровне систем проблемы надежности причиненные ЭЭПРОМ и другими энергонезависимыми памятями. Не похож на ЭЭПРОМ, ФМ24КЛ04Б выполняет пишет деятельность на скорости автобуса. Никакой напишите задержки произведите. Данные написаны в массив памяти немедленно после каждый байт успешно возвращен к прибору. Следующий цикл автобуса может начать без потребности для полинга данных. К тому же, продукт предлагает реальность пишет выносливость сравненную с другими энергонезависимыми памятями. Также, Ф-РАМ показывает гораздо ниже силу во время пишет чем ЭЭПРОМ в виду того что напишите деятельность не требуют внутренне повышенного напряжения тока электропитания для пишут цепи. ФМ24КЛ04Б способно на поддерживать прочитанное 1014/пишет циклы, или 100 миллионов времена больше пишут циклы чем ЭЭПРОМ. Эти возможности делают идеал для применений энергонезависимой памяти, требование ФМ24КЛ04Б частое или быстрый пишет. Примеры выстраивают в ряд от регистрации данных, где номер пишет циклы может быть критическим, к требовать промышленным контролям где длинные пишут время ЭЭПРОМ могут причинить потерю данных. Особенности сочетания из позволяют более частому сочинительству данных с меньше накладных расходов для системы. ФМ24КЛ04Б снабжает существенные преимущества потребители сериала (И2К) ЭЭПРОМ как оборудование падени-в замене. Спецификации прибора гарантированы над промышленным диапазоном температур – 40 к к К. +85.
Особенности
оперативное запоминающее устройство ■ 4-Кбит ферроелектрик (Ф-РАМ) логически
организованный как 512 × 8
Высоко-выносливость 100 прочитанный триллион ❐ (1014)/пишет
❐ удерживание 151 данному по года (см. удерживание и выносливость данных
на страница 10)
❐ НоДелай™ пишет
Процесс предварительной высоко-надежности ❐ ферроелектрик
Последовательный интерфейс ■ быстрый двухпрободный (И2К)
❐ до частоты 1-МХз
Замена оборудования ❐ сразу для сериала (И2К) ЭЭПРОМ
❐ поддерживает времена наследия для 100 КГц и 400 КГц
Потребление низкой мощности ■
активный ток а ❐ 100 на 100 КГц
течение а ❐ 3 (типа) резервное
Деятельность напряжения тока ■: ВДД = 2,7 в к 3,65 в
Температура ■ промышленная: – 40 к к +85 к
пакет (SOIC) интегральной схемаы плана штыря ■ 8 небольшой
Ограничение ■ опасных веществ (RoHS) уступчивого
Применения
Промышленный, сообщение & сеть
