BLOOM(suzhou) Materials Co.,Ltd

КО. МАТЕРИАЛОВ ЦВЕТЕНЯ (СУЧЖОУ), ЛТД Ориентация Эверытхинг.Детайльс определяет успех или отказ.

Manufacturer from China
Проверенные Поставщика
7 лет
Главная / продукты / Alloy Materials /

Низкий кадр инвара 36 точности расширения для применений полупроводника

контакт
BLOOM(suzhou) Materials Co.,Ltd
Посетите вебсайт
Область/Штат:jiangsu
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrsKara Liu
контакт

Низкий кадр инвара 36 точности расширения для применений полупроводника

Спросите последнюю цену
Видеоканал
Номер модели :инвар 36
Место происхождения :Цзянсу, Китай
Количество минимального заказа :100KGS
Условия оплаты :T/T
Способность поставки :5 тонн в месяц
Срок поставки :25days
Упаковывая детали :Упаковка с деревянной коробкой
применение :широко
Тип :Адвокатура никеля
Ni (минута) :36
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Кадр инвара 36 точности с низким расширением для применений полупроводника

1 . Описание:

Инвар имени приходит от слова неизменного, ссылающся на свой относительный недостаток расширения или сужения с изменениями температуры.

Оно было изобретено в 1896 швейцарским физиком Чарльзом Édouard Guillaume. Он получил Нобелевскую премию в физике в 1920 для этого открытия, которое включило улучшения в научных приборах.
OhmAlloy-4J36 (инвар) использовано где высокая сохранность формы необходима, как аппаратуры точности, часы, сейсмические датчики ползучести, рамки тен-маски телевидения, клапаны в моторах, и антимагнитные дозоры. В земле исследуя, когда первого порядка (высокоточный) выравнивать высоты быть выполненным, ровный используемый штат (выравнивая штангу) сделан из инвара, вместо древесины, стеклоткани, или других металлов. Распорки инвара были использованы в некоторых поршенях для того чтобы ограничивать их тепловое расширение внутри их цилиндров.

2 . Нормальный composition%


Ni

35~37.0

Fe

Bal.

Co

-

Si

≤0.3

Mo

-

Cu

-

Cr

-

Mn

0.2~0.6

C

≤0.05

P

≤0.02

S

≤0.02


Типичные физические свойства


Плотность (g/cm3)

8,1

Электрическая резистивность на 20ºC (mm2/m)

0,78

Фактор температуры резистивности (20ºC~200ºC) X10-6/ºC

3.7~3.9

Термальная проводимость, λ/с (m*ºC)

11

ºC Tc/пункта Кюри

230

Модуль пластичности, E/Gpa

144

3. применение

в радио и электронных устройствах,
части изготовления в управлениях воздушных судн
система оптически и лазера
в биметаллических термостатах и в собраниях штанги и трубки для регуляторов температуры

Низкий кадр инвара 36 точности расширения для применений полупроводника

4 . Типичные механические свойства


Прочность на растяжение

Удлиненность

Mpa

%

641

14

689

9

731

8

Низкий кадр инвара 36 точности расширения для применений полупроводника

Низкий кадр инвара 36 точности расширения для применений полупроводника

Низкий кадр инвара 36 точности расширения для применений полупроводника

Низкий кадр инвара 36 точности расширения для применений полупроводника

Низкий кадр инвара 36 точности расширения для применений полупроводника

Запрос Корзина 0