DOUBLE LIGHT ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD

Профессиональный создатель LED из Китая Более 10 лет опытов по производству Светодиодным Достаточная поставка, полностью качественное уверенное

Manufacturer from China
Активный участник
9 лет
Главная / продукты / Infrared Emitting Diode /

2 высота фототранзистора 0.8мм кремния НПН датчика инфракрасного света ПИН СМД высоких чувствительных

контакт
DOUBLE LIGHT ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrChen
контакт

2 высота фототранзистора 0.8мм кремния НПН датчика инфракрасного света ПИН СМД высоких чувствительных

Спросите последнюю цену
Видеоканал
Номер модели :ДЛ-ПКБ0603ПТК-1ПТ120
Место происхождения :Китай (материк)
Количество минимального заказа :10000 шт
Термины компенсации :Телеграфный переход заранее (предварительный TT, T/T)
Способность поставкы :15,000,000пкс в день
Срок поставки :через 5-7 рабочих дней после получили вашу компенсацию
Упаковывая детали :Размеры в блок: 0,28 × × 0,2 0,13 метра • Вес в блок: 3,5 килограмма • Блоки в коробку экспорта: 4
Название продукта :фототранзистор 0603 смд
Испущенный цвет :фототранзистор
Диссипация силы :100mW
Материал обломока :кремний
Тип объектива :вода ясная
Напряжение тока коллектор- эмиттера :50V
Течение сборника :20mA
Угол приема :120deg
Длина волны пиковой чувствительности :940NM
Звенел спектральной ширины полосы частот :400-1100nm
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

фототранзистор кремния НПН датчика инфракрасного света фототранзистора ПИН СМД пакета 2 высоты 0603 0.8мм высокий чувствительный

 

ДЛ-ПКБ0603ПТК-1ПТ120.пдф

  • Особенности:
  1. Время быстрой реакции.
  2. Высокая чувствительность фото.
  3. Небольшая емкость соединения.
  4. Пакет в ленте 8мм на 7" вьюрок диаметра.
  5. Продукт сам останется в пределах версии РоХС уступчивой.

 

  • Описания:
  1. 0603 высокоскоростной и высокий чувствительный фототранзистор кремния НПН в миниатюрном пакете СМД который отлит в форму в эпоксидной смоле ясности воды с плоским объективом взгляда сверху.
  2. Должный к своей эпоксидной смоле ясности воды, прибор спектрально соответствуется к видимому и ультракрасному испуская диоду.

 

  • Применения:
  1. Автоматический датчик двери.
  2. Ультракрасная прикладная система.
  3. Счетчики и сортировщицы.
  4. Кодировщики.
  5. Дисковод.
  6. Электронно-оптический переключатель.
  7. Видеокамера, лента и читатели карты.
  8. Датчики положения.
  9. Копировальная машина.
  10. Игровой автомат.

2 высота фототранзистора 0.8мм кремния НПН датчика инфракрасного света ПИН СМД высоких чувствительных

Номер детали. Материал обломока Цвет объектива Цвет источника
ДЛ-ПКБ00603ПТК-1ПТ120 Кремний Вода ясная Фототранзистор

 

Примечания:

  1. Все размеры в миллиметрах (дюймах).
  2. Допуск ± 0.10мм (.004 ″) если не указано иное.
  3. Подлежат, что изменяют спецификации без предварительного уведомления.

Абсолютный максимум оценок на Та=25℃

Параметры Символ Классифицировать Блок

Диссипация силы

На (или ниже) 25℃ освободите температуру воздушной среды

ПД 100 мВ
Напряжение тока коллектор- эмиттера ВГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР 50 В
Излучател-Сборник-напряжение тока ВЭКО 5 В
Течение сборника ИК 20 мамы
Рабочая температура Топр -25 до +80
Температура хранения Цтг -30 до +85
Паяя температура Цол 260℃ на 5 секунд
 

Электрические оптически характеристики на Та=25℃

 

 

Параметры Символ Минимальный. Тип. Макс. Блок Условие
Пробивное напряжение коллектор- эмиттера ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР БВ 30 --- --- В

ИК=100μА,

² Эе=0мВ/км

Пробивное напряжение Излучател-сборника БВЭКО 5 --- --- В

Т.Е. =100μА,

² Эе=0мВ/км

Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера ВКЭ(САТ) --- --- 0,40 В

ИК=2мА,

² Эе=1мВ/км

Течение сборника темное ИГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР --- --- 100 нА

ВКЭ=20В,

² Эе=0мВ/км

На государственном течении сборника ИК(ДАЛЬШЕ) 0,67 1,50 --- мамы

ВКЭ=5В,

² Эе=1мВ/км

Оптически время восхода (10% до 90%) ТР --- 15 --- μс

ВКЭ=5В,

ИК=1мА,

РЛ=1000Ω

Оптически время падения (90% до 10%) ТФ --- 15 ---
Угол приема 2θ1/2 --- 120 --- Дег  
Длина волны пиковой чувствительности λП --- 940 --- нм  
Звенел спектральной ширины полосы частот λ0.5 400 --- 1100 нм  
 
 
  • Типичные электрические/оптически кривые характеристик

(Температура окружающей среды 25℃ если не указано иное)

 

2 высота фототранзистора 0.8мм кремния НПН датчика инфракрасного света ПИН СМД высоких чувствительных

 
Введение компании:
Электроника двойного света Гонконга была основана в 2005 как профессиональный изготовитель СИД расположенный в Шэньчжэне, Китае.
Мы главным образом производим широкий диапазон продуктов с автоматическими производственными линиями, которые включают приведенное инфракрасн, приведенное инфракрасный, приведенное инфракрасн 0603, СИД СИД инфракрасн смд, ТХТ, СИД обломока, дисплеи СИД, ультракрасное СИД, матрица точки, баклигхц ЛКД и освещение СИД приспособления.
2 высота фототранзистора 0.8мм кремния НПН датчика инфракрасного света ПИН СМД высоких чувствительных
2 высота фототранзистора 0.8мм кремния НПН датчика инфракрасного света ПИН СМД высоких чувствительных
2 высота фототранзистора 0.8мм кремния НПН датчика инфракрасного света ПИН СМД высоких чувствительных
 
Запрос Корзина 0