
Add to Cart
ультракрасное испуская условие ИК=100μА фототранзистора модуля инфракрасн Траньмиттер диода 940нм ультракрасное, ² Эе=0мВ/км
фототранзистор СИД 5мм
Абсолютный максимум оценок на Та=25℃
Параметры | Символ | Классифицировать | Блок |
Диссипация силы | ПД | 75 | мВ |
Напряжение тока коллектор- эмиттера | ВГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР | 30 | В |
Излучател-Сборник-напряжение тока | ВЭКО | 5 | В |
Течение сборника | ИК | 20 | мамы |
Рабочая температура | ТОПР | -40 до +85 | ℃ |
Температура хранения | ТСТГ | -40 до +100 | ℃ |
Температура руководства паяя | СОЛ Т | 260℃ | ℃ |
Электрические оптически характеристики на Та=25℃
Параметры | Символ | Минимальный. | Тип. | Макс. | Блок | Условие |
Пробивное напряжение коллектор- эмиттера | ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР БВ | 30 | --- | --- | В |
ИК=100μА, ² Эе=0мВ/км |
Пробивное напряжение Излучател-сборника | БВЭКО | 5 | --- | --- | В |
Т.Е. =100μА, ² Эе=0мВ/км |
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера | ВКЭ(САТ) | --- | --- | 0,40 | В |
ИК=0.70мА, Эе=1мВ/км2 |
Течение сборника темное | ИГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР | --- | --- | 100 | нА |
² Эе=0мВ/км, ВКЭ=20В |
Течение сборника На-государства | ИК(ДАЛЬШЕ) | 0,70 | 2,00 | --- | мамы |
² Эе=1мВ/км, ВКЭ=5В |
Оптически время восхода (10% до 90%) | ТР | --- | 15 | --- | μс |
ВКЭ=5В, ИК=1мА, РЛ=100Ω |
Оптически время падения (90% до 10%) | ТФ | --- | 15 | --- | ||
Угол приема | 2θ1/2 | --- | 30 | --- | Дег | |
Длина волны пиковой чувствительности | λП | --- | 940 | --- | нм | |
Звенел спектральной ширины полосы частот | λ0.5 | 400 | --- | 1100 | нм |
Ультракрасный испуская размер пакета диода: