Детальный характер продукции
точность 1064nm объектива YAG F-тэты/объектив блока развертки 70*70 /112 *112/174*174laser
Быстрая деталь:
объектив f-тэты лазера можно использовать для маркировки лазера и гравировки лазера, работы с головой маркировки (блоком развертки лазера).
Описание:
В большем части из машинного оборудования лазера режущей кромки, оптика лазера будет включена в систему для того чтобы осуществить различные применения как отмечать, сверлящ, сваривающ, dicing, размечающ, резать, гравируя etc.
объектив сканирования F-тэты использован совместно с XY блоком развертки гальванометра и детандером луча для того чтобы сформировать 2 размера просматривая систему. Объектив развертки оптимизирован для того чтобы обеспечить плоское изображение поля с огибани-ограниченным размером места в масштабе микрона над всем полем развертки. Высота отображенного поля почти прямо-пропорциональна к углу развертки. Типично, искажение f-тэты линеарностей сдержано меньше чем 1% без коррекции программного обеспечения для обеспечения минимального искажения. Высокое transmissive покрытие AR покрыто на поверхность элементов объектива для обеспечения минимальных потерь электропитания и следовательно для того чтобы увеличить объем. Объективы развертки конструированы с держателем промышленного стандарта M85x1 продевая нитку для того чтобы облегчить установку объектива в машину лазера. Приспособить различный стандартный поток держателя, переходники держателя доступны для легкости преобразования. Больший часть из наших продуктов RoHS уступчивое если не указано иное.
Стоп апертуры установил на центральная точка X-Y зеркала в случае системы сканирования 2-оси
Применения:
- Маркировка
- Гравировка
- Быстрое прототипирование
- Сверля монтажная плата через отверстия
- Резать ткань
- Резать бумагу
Спецификации:
Допуск +0,0 диаметра, -0.13mm
Допуск ±0.25mm толщины
Параксиальное фокусное расстояние ±2%
Centration 3 минуты дуги
Ясная апертура >>80%
Поверхностная диаграмма λ/2 в 1" @632.8nm
Царапина и раскопки качества поверхности 40-20
Покрытие R<0.5% AR/AR в поверхностное @10.6um
