Категории продукта

Инвертор IGBT

[40]

IGBT высокой мощности

[41]

MOSFET наивысшей мощности

[51]

Сверхсоединение MOSFET

[51]

МОП-транзистор низкого напряжения

[84]

Высоковольтный MOSFET

[59]

Диоды барьера Schottky

[83]

Диоды быстрого восстановления

[52]

Низкий VF Schottky

[68]

Полупроводники высокой мощности

[28]

МОП-транзистор из карбида кремния

[21]

Силиконовый карбид SBD

[21]

контакт

Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

Город:dongguan

Область/Штат:guangdong

Страна/регион:china

Контактное лицо:MrsQinqin

контактная информация

контакт

Многоразовое применение высокомощный полупроводник N канал

Спросите последнюю цену

Видеоканал

Место происхождения :Китай

Минимальное количество заказов :Спросите.

Условия оплаты :T/T заранее ((EXW)

Способность к поставкам :600KK/год

Время доставки :2-30 дней ((зависит от количества заказа)

Подробная информация об упаковке :Tube+Carton

Напряжение :Высокое напряжение

Преимущества :Устойчивый процесс и надежное качество

Емкость соединения :Низкая пропускная способность развязки

Эффективность :Высокая эффективность

Особенности :Низкий RDS ((on) на область чипа ((Low FOM)

Заявления :Солнечные инверторы, питание от переменного тока до постоянного

контакт

Add to Cart

Посмотреть описание продукта

Многоразовое применение высокомощный полупроводник N канал

Особенности

• Низкая стоимость

• Низкий RDS ((on) на площадь чипа ((Low FOM)

• Очень низкая потеря переключения и проводимости

• чрезвычайно высокая прочность коммутации

Применение

• Солнечные инверторы

• LCD/LED/PDP ТВ

• Электрические источники связи/сервера

• Электрическое питание переменного тока

Многоразовое применение высокомощный полупроводник N канал

Запрос Корзина 0