Время восстановления 15-35 нс Ультра-восстановительные диоды для источников питания *, *::before, *::after {box-sizing: border-box;}* {margin: 0;}html...

список продуктов, подробные →

show pictures

Инвертор IGBT

IGBT высокой мощности

MOSFET наивысшей мощности

Сверхсоединение MOSFET

МОП-транзистор низкого напряжения

Высоковольтный MOSFET

Диоды барьера Schottky

Диоды быстрого восстановления

Низкий VF Schottky

Полупроводники высокой мощности

МОП-транзистор из карбида кремния

Силиконовый карбид SBD

Время восстановления 15-35 нс Ультрабыстрый диод восстановления для источников питания