Категории продукта

Инвертор IGBT

[40]

IGBT высокой мощности

[41]

MOSFET наивысшей мощности

[41]

Сверхсоединение MOSFET

[49]

МОП-транзистор низкого напряжения

[83]

Высоковольтный MOSFET

[59]

Диоды барьера Schottky

[83]

Диоды быстрого восстановления

[50]

Низкий VF Schottky

[68]

Полупроводники высокой мощности

[27]

МОП-транзистор из карбида кремния

[21]

Силиконовый карбид SBD

[21]

контакт

Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

Город:dongguan

Область/Штат:guangdong

Страна/регион:china

Контактное лицо:MrsQinqin

контактная информация

контакт

Промышленный низковольтный канал MOSFET P для устройств на батареях

продукты подробные

Промышленный долговечный низковольтный МОСФЕТ для устройств на батареях *, *::before, *::after {box-sizing: border-box;}* {margin: 0;}html, body ...

список продуктов, подробные →

show pictures

Инвертор IGBT

IGBT высокой мощности

MOSFET наивысшей мощности

Сверхсоединение MOSFET

МОП-транзистор низкого напряжения

Высоковольтный MOSFET

Диоды барьера Schottky

Диоды быстрого восстановления

Низкий VF Schottky

Полупроводники высокой мощности

МОП-транзистор из карбида кремния

Силиконовый карбид SBD

Промышленный низковольтный канал MOSFET P для устройств на батареях