Категории продукта

Инвертор IGBT

[40]

IGBT высокой мощности

[41]

MOSFET наивысшей мощности

[51]

Сверхсоединение MOSFET

[51]

МОП-транзистор низкого напряжения

[84]

Высоковольтный MOSFET

[59]

Диоды барьера Schottky

[83]

Диоды быстрого восстановления

[52]

Низкий VF Schottky

[68]

Полупроводники высокой мощности

[28]

МОП-транзистор из карбида кремния

[21]

Силиконовый карбид SBD

[21]

контакт

Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

Город:dongguan

Область/Штат:guangdong

Страна/регион:china

Контактное лицо:MrsQinqin

контактная информация

контакт

Силиконовый карбид SBD для центра обработки данных

Спросите последнюю цену

Видеоканал

Место происхождения :Китай

Минимальное количество заказов :Спросите.

Условия оплаты :T/T заранее ((EXW)

Способность к поставкам :600KK/год

Время доставки :2-30 дней ((зависит от количества заказа)

Подробная информация об упаковке :Tube+Carton

Тип прибора :Сико-Шотткийский барьерный диод

Переключая скорость :Высокоскоростное переключение

Заявления :SMPS, солнечный инвертор, дата-центр, УПС

Преимущества :Требования к низкой теплоотдаче

контакт

Add to Cart

Посмотреть описание продукта

Силиконовый карбид SBD для центра обработки данных

Особенности

·Незначительное обратное возмещение

·Высокий приток

·Положительный температурный коэффициент

·Более часто

·без галогена / соответствует требованиям RoHS

Применение

·МСПП

·Солнечный инвертор

·Данный центр

·UPS

Преимущества

·Высокоскоростное переключение

·Низкие требования к рассеиванию тепла

·Снижение размера и стоимости системы

·Высокая надежность

Силиконовый карбид SBD для центра обработки данных

Запрос Корзина 0