Категории продукта

Инвертор IGBT

[49]

IGBT высокой мощности

[51]

MOSFET наивысшей мощности

[51]

Сверхсоединение MOSFET

[51]

МОП-транзистор низкого напряжения

[84]

Высоковольтный MOSFET

[59]

Диоды барьера Schottky

[82]

Диоды быстрого восстановления

[51]

Низкий VF Schottky

[66]

Полупроводники высокой мощности

[28]

МОП-транзистор из карбида кремния

[21]

Силиконовый карбид SBD

[21]

контакт

Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

Город:dongguan

Область/Штат:guangdong

Страна/регион:china

Контактное лицо:MrsQinqin

контактная информация

контакт

Многофункциональный полупроводник карбида кремния высокомощный транзистор SiC MOS

продукты подробные

Прочный полупроводниковый карбид кремния высокомощный транзистор SiC MOS многофункциональный *, *::before, *::after {box-sizing: border-box;}* ...

список продуктов, подробные →

show pictures

Инвертор IGBT

IGBT высокой мощности

MOSFET наивысшей мощности

Сверхсоединение MOSFET

МОП-транзистор низкого напряжения

Высоковольтный MOSFET

Диоды барьера Schottky

Диоды быстрого восстановления

Низкий VF Schottky

Полупроводники высокой мощности

МОП-транзистор из карбида кремния

Силиконовый карбид SBD

Многофункциональный полупроводник карбида кремния высокомощный транзистор SiC MOS