Это 100-V, 49 mΩ, СЫН MOSFET силы 3,3 mm NexFET™ × 3,3 mm конструировано для того чтобы уменьшить потери при теплопроводности и уменьшить след ноги доски в применениях PoE.

Атрибут продукта	Атрибут со значением
Изготовитель:	Texas Instruments
Категория продукта:	MOSFET
RoHS:	Детали
Технология:	Si
Устанавливать стиль:	SMD/SMT
Пакет/случай:	VSONP-8
Полярность транзистора:	N-канал
Количество каналов:	1 канал
Vds - пробивное напряжение Сток-источника:	100 v
Id - непрерывное течение стока:	A 14,4
Rds на - сопротивлении Сток-источника:	61 mOhms
Vgs - напряжение тока Ворот-источника:	- 20 V, + 20 V
Th Vgs - напряжение тока порога Ворот-источника:	3,2 v
Qg - обязанность ворот:	4,3 nC
Минимальная рабочая температура:	- 55 c
Максимальная рабочая температура:	+ 150 c
Pd - диссипация силы:	2,8 w
Режим канала:	Повышение
Фирменное название:	NexFET
Упаковка:	Вьюрок
Упаковка:	Раскроенная лента
Упаковка:	MouseReel
Бренд:	Texas Instruments
Конфигурация:	Одиночный
Время падения:	2 ns
Высота:	0,9 mm
Длина:	3,15 mm
Тип продукта:	MOSFET
Время восхода:	3 ns
Серия:	CSD19538Q3A
Количество пакета фабрики:	2500
Subcategory:	MOSFETs
Тип транзистора:	1 N-канал
Типичное время задержки поворота-:	7 ns
Типичное время задержки включения:	5 ns
Ширина:	3 mm
Вес блока:	0,000963 oz

Запрос Корзина 0