SUD50P06-15-GE3/MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin Trans (2+Tab) DPAK
Примечания:
a. Тест ИМПа ульс; ширина ИМПа ульс
≤
300 μs, круг обязаностей
≤
2%.
b. Гарантированный дизайн, не s
ubject к испытывать продукции.
c. Независимый рабочей температуры
Примечания:
a. Тест ИМПа ульс; μs ≤ 300 ширины ИМПа ульс, ≤ 2% круга обязаностей.
b. Гарантированный дизайн, не вопрос к испытывать продукции.
c. Независимый рабочей температуры.
Примечания:
a. Тест ИМПа ульс; ширина ИМПа ульс
≤
300 μs, круг обязаностей
≤
2%.
b. Гарантированный дизайн, не s
ubject к испытывать продукции.
c. Независимый рабочей температуры
Атрибут продукта Атрибут со значением
Изготовитель: Vishay
Категория продукта: MOSFET
Технология: Si
Устанавливать стиль: SMD/SMT
Пакет/случай: TO-252-3
Полярность транзистора: P-канал
Количество каналов: 1 канал
Vds - пробивное напряжение Сток-источника: 60 v
Id - непрерывное течение стока: 50 a
Rds на - сопротивлении Сток-источника: 15 mOhms
Vgs - напряжение тока Ворот-источника: - 20 V, + 20 V
Th Vgs - напряжение тока порога Ворот-источника: 3 v
Qg - обязанность ворот: 40 nC
Минимальная рабочая температура: - 55 c
Максимальная рабочая температура: + 150 c
Pd - диссипация силы: 113 w
Режим канала: Повышение
Фирменное название: TrenchFET
Упаковка: Вьюрок
Упаковка: Раскроенная лента
Упаковка: MouseReel
Бренд: Полупроводники Vishay
Конфигурация: Одиночный
Время падения: 30 ns
Передний Transconductance - минута: 61 s
Высота: 2,38 mm
Длина: 6,73 mm
Тип продукта: MOSFET
Время восхода: 9 ns
Серия: ЮГ
Количество пакета фабрики: 2000
Subcategory: MOSFETs
Тип транзистора: 1 P-канал
Типичное время задержки поворота-: 65 ns
Типичное время задержки включения: 8 ns
Ширина: 6,22 mm
Часть # псевдонимы: SUD50P06-15-BE3
Вес блока: 0,011640 oz
