Категории продукта

Интегральные схемаы интерфейса

[17]

Сбор информации IC

[7]

контакт

Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Посетите вебсайт

Город:shenzhen

Страна/регион:china

Контактное лицо:MissZhao

контактная информация

контакт

IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Спросите последнюю цену

Номер модели :IS41LV16100B-50KL

Минимальное количество заказа :1

Условия оплаты :T/T

Способность к поставкам :В наличии

Время доставки :3-5 рабочих дней

Подробная информация об упаковке :антистатический пакет и картонная коробка

Тип памяти :Испаряющий

Формат памяти :ДРАХМА

Технологии :DRAM - EDO

Размер запоминающего устройства :16Mbit

Организация памяти :1M x 16

Интерфейс памяти :Параллельно

Тактовая частота :-

Напишите время цикла - слово, страницу :-

Время выборки :25 ns

Напряжение - питание :3V ~ 3,6V

Операционная температура :0°C ~ 70°C (TA)

Тип установки :Поверхностный монтаж

Пакет / чемодан :42-BSOJ (0,400", ширина 10,16 мм)

Пакет изделий поставщика :42-SOJ

контакт

Add to Cart

Посмотреть описание продукта

Подробная информация о продукции

Описание

ISSIIS41LV16100B составляет 1,048,576 x 16-разрядные высокопроизводительные CMOS Dynamic Random Access Memories. Эти устройства предлагают ускоренный цикл доступа под названием EDO Page Mode.024 случайный доступ в пределах одной строки с временем цикла доступа не более 20 нс на 16-битное слово.

СТРАНИЦЫ

• Входы и выходы, совместимые с TTL; I/O с тремя состояниями
• Интервал обновления:
Мод автоматического обновления: 1,024 цикла / 16 мс
Только для RAS, CAS перед RAS (CBR) и скрытые
• Стандартный график JEDEC
• Одноразовое питание: 3,3 В ± 10%
• Операция записи и чтения байтов через два CAS
• Промышленный температурный диапазон: от -40 до +85 °C
• Без свинца

Спецификации

Атрибут	Значение атрибута
Производитель	ИССИ
Категория продукции	Чипы IC
Серия	-
Опаковка	Трубка
Пакетный чехол	42-BSOJ (0,400", 10,16 мм)
Операционная температура	0°C ~ 70°C (TA)
Интерфейс	Параллельно
Напряжение	3 В ~ 3,6 В
Пакет изделий поставщика	42-SOJ
Способность памяти	16M (1M x 16)
Тип памяти	DRAM - EDO
Скорость	50 нс
Формат-память	ОЗУ

Описания

DRAM - EDO память IC 16Mb (1M x 16) Параллельно 25ns 42-SOJ

Запрос Корзина 0