Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

Компания Sanhuang Electronics (Hong Kong) Co., Limited

Manufacturer from China
Проверенные Поставщика
3 лет
Главная / продукты / Flash Memory IC /

S29PL127J60BAI000 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA Cypress Semiconductor Corp.

контакт
Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.
Посетите вебсайт
Город:shenzhen
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissZhao
контакт

S29PL127J60BAI000 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA Cypress Semiconductor Corp.

Спросите последнюю цену
Номер модели :S29PL127J60BAI000
Минимальное количество заказа :1
Условия оплаты :T/T
Способность к поставкам :В наличии
Время доставки :3-5 рабочих дней
Подробная информация об упаковке :антистатический пакет и картонная коробка
Тип памяти :Слаболетучий
Формат памяти :ВСПЫШКА
Технологии :ВСПЫШКА - НИ
Размер запоминающего устройства :128Mbit
Организация памяти :8М х 16
Интерфейс памяти :Параллельно
Тактовая частота :-
Напишите время цикла - слово, страницу :60ns
Время выборки :60 ns
Напряжение - питание :2.7V ~ 3.6V
Операционная температура :-40 °C ~ 85 °C (TA)
Тип установки :Поверхностный монтаж
Пакет / чемодан :80-VFBGA
Пакет изделий поставщика :80-FBGA (8x11)
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Подробная информация о продукции

Общее описание

Am27S29 (512 слов на 8 бит) является программируемой памятью только для чтения (PROM) Schottky TTL.

Отличительные характеристики

● Высокая скорость
● Высоконадежные, сверхбыстрые платиносилицидные предохранители
● Высокая производительность программирования
● Входы PNP с низким током
● Высокоскоростной открытый коллектор и выходы трех состояний Быстрый выбор чипа

Спецификации

Атрибут Значение атрибута
Производитель Кипарис полупроводник
Категория продукции Мемориальные микросхемы
Серия PL-J
Опаковка Поднос
Стиль установки SMD/SMT
Диапазон температуры работы - от 40 до + 85 градусов
Пакетный чехол *
Операционная температура -40 °C ~ 85 °C (TA)
Интерфейс Параллельно
Напряжение 2.7 В ~ 3.6 В
Пакет изделий поставщика *
Способность памяти 128 М (8 М х 16)
Тип памяти ФЛАСШ - НО
Скорость 60 нс
Архитектура Сектор
Формат-память ФЛАСШ
Стандартный Общий интерфейс Flash (CFI)
Тип интерфейса Параллельно
Организация 8 М х 16
Максимальный ток подачи 55 мА
ширина ширины ширины 16 бит
Максимальное напряжение питания 3.6 В
Напряжение питания-минус 2.7 В
Пакетный чехол FBGA-80
Тип синхронизации Асинхронные

Описания

Flash - NOR Memory IC 128Mb (8M x 16) Параллельный 60ns 80-FBGA (8x11)
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 128M-bit 8M x 16 60ns 80-pin FBGA Tray
Флэш-память
Запрос Корзина 0