Категории продукта

Интегральные схемаы интерфейса

[17]

Сбор информации IC

[7]

контакт

Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

Посетите вебсайт

Город:shenzhen

Страна/регион:china

Контактное лицо:MissZhao

контактная информация

контакт

AS7C256A-12JCN IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ Альянс памяти, Inc.

Спросите последнюю цену

Номер модели :AS7C256A-12JCN

Минимальное количество заказа :1

Условия оплаты :T/T

Способность к поставкам :В наличии

Время доставки :3-5 рабочих дней

Подробная информация об упаковке :антистатический пакет и картонная коробка

Тип памяти :Испаряющий

Формат памяти :SRAM

Технологии :SRAM - Асинхронный

Размер запоминающего устройства :256Kbit

Организация памяти :32K x 8

Интерфейс памяти :Параллельно

Тактовая частота :-

Напишите время цикла - слово, страницу :12ns

Время выборки :12 ns

Напряжение - питание :4.5V ~ 5.5V

Операционная температура :0°C ~ 70°C (TA)

Тип установки :Поверхностный монтаж

Пакет / чемодан :28-BSOJ (0,300", ширина 7.62mm)

Пакет изделий поставщика :28-SOJ

контакт

Add to Cart

Посмотреть описание продукта

Подробная информация о продукции

Функциональное описание

AS7C256A представляет собой высокопроизводительное 5,0В CMOS 262,144-битное устройство статической памяти случайного доступа (SRAM), организованное в виде 32 768 слов × 8 бит.Он предназначен для приложений памяти, требующих быстрого доступа к данным при низком напряженииПродвинутые технологии проектирования и процесса связи Alliance позволяют работать на 5,0 В без ущерба для производительности или эксплуатационной маржи.

Особенности

• Пин совместим с AS7C256
• Индустриальные и коммерческие варианты температуры
• Организация: 32 768 слов × 8 бит
• Высокая скорость
- 10/12/15/20 ns время доступа к адресу
- 5, 6, 7, 8 нс выход позволяют время доступа
• Очень низкое энергопотребление: АКТИВНО
- 412,5 мВт максимум @ 10 нс
• Очень низкое потребление энергии: СТАНДБИ
- 11 мВт максимум CMOS I/O
• Легкое расширение памяти с помощью вводов CE и OE
• совместимые с TTL, I/O трех состояний
• стандартные пакеты JEDEC на 28 шипов
- 300 миллионов СОЖ
- 8 × 13,4 мм TSOP 1
• защита от ESD ≥ 2000 вольт
• Замыкающий ток ≥ 200 мА
• 2,0 В сохранение данных

Спецификации

Атрибут	Значение атрибута
Производитель	Альянс Память, Inc.
Категория продукции	Мемориальные микросхемы
Серия	-
Опаковка	Заменяющая упаковка труб
Пакетный чехол	28-BSOJ (.300", 7,62 мм ширины)
Операционная температура	0°C ~ 70°C (TA)
Интерфейс	Параллельно
Напряжение	4.5 V ~ 5.5 V
Пакет изделий поставщика	28-SOJ
Способность памяти	256K (32K x 8)
Тип памяти	SRAM - асинхронная
Скорость	12 нс
Формат-память	ОЗУ

Функционально совместимый компонентФорма, упаковка, функционально совместимый компонент

Производитель части#	Описание	Производитель	Сравните
PDM41256LB12SO Память	Стандартная SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28	Корпорация IXYS	AS7C256A-12JCN против PDM41256LB12SO
K6E0808C1E-JC12 Память	Стандартная SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0,300 INCH, PLASTIC, SOJ-28	Samsung Semiconductor	AS7C256A-12JCN против K6E0808C1E-JC12
AS7C256A-12JCN Память	Стандартная SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0,300 дюйма, свободная от свинца, ПЛАСТИЧЕСКАЯ, SOJ-28	Alliance Memory Inc.	AS7C256A-12JCN против AS7C256A-12JCN
AS7C256A-12JC Память	Стандартная SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0,300 INCH, PLASTIC, SOJ-28	Alliance Memory Inc.	AS7C256A-12JCN против AS7C256A-12JC
K6E0808C1C-JC12 Память	Стандартная SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0,300 INCH, PLASTIC, SOJ-28	Samsung Semiconductor	AS7C256A-12JCN против K6E0808C1C-JC12
KM68257EJ-12 Память	Стандартная SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0,300 INCH, PLASTIC, SOJ-28	Samsung Semiconductor	AS7C256A-12JCN против KM68257EJ-12
KM68257CJ-12 Память	Стандартная SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28, 0,300 INCH, PLASTIC, SOJ-28	Samsung Semiconductor	AS7C256A-12JCN против KM68257CJ-12

Описания

SRAM - Асинхронная память IC 256Kb (32K x 8) Параллельная 12ns 28-SOJ

SRAM 256K, 5V, 12ns, FAST 32K x 8 Asynch SRAM

Запрос Корзина 0