Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

Компания Sanhuang Electronics (Hong Kong) Co., Limited

Manufacturer from China
Проверенные Поставщика
3 лет
Главная / продукты / Flash Memory IC /

MT28F004B3VG-8 B IC FLASH 4 МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 40TSOP I Micron Technology Inc.

контакт
Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.
Посетите вебсайт
Город:shenzhen
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissZhao
контакт

MT28F004B3VG-8 B IC FLASH 4 МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 40TSOP I Micron Technology Inc.

Спросите последнюю цену
Номер модели :МТ28Ф004Б3ВГ-8 Б
Минимальное количество заказа :1
Условия оплаты :T/T
Способность к поставкам :В наличии
Время доставки :3-5 рабочих дней
Подробная информация об упаковке :антистатический пакет и картонная коробка
Тип памяти :Слаболетучий
Формат памяти :ВСПЫШКА
Технологии :ВСПЫШКА - НИ
Размер запоминающего устройства :4Mbit
Организация памяти :512K x 8
Интерфейс памяти :Параллельно
Тактовая частота :-
Напишите время цикла - слово, страницу :80ns
Время выборки :80 ns
Напряжение - питание :3V ~ 3,6V
Операционная температура :0°C ~ 70°C (TA)
Тип установки :Поверхностный монтаж
Пакет / чемодан :40-TFSOP (0,724", 18,40 мм в ширину)
Пакет изделий поставщика :40-TSOP I
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Подробная информация о продукции

Общее описание

MT28F004B3 (x8) и MT28F400B3 (x16/x8) являются нелетающими, электрически стертыми блоками (флэш), программируемыми устройствами памяти, содержащими 4,194Запись или удаление устройства выполняется либо с напряжением 3.3V, либо 5V VPP, в то время как все операции выполняются с 3.3V VCCВ связи с достижениями технологий процесса, 5В VPP является оптимальным для применения и производственного программирования.
MT28F004B3 и MT28F400B3 организованы в семь отдельно стираемых блоков.устройства оснащены защищенным аппаратным обеспечением загрузочным блоком. Написание или снятие блока загрузки требует либо применения сверхнапряжения к пин RP#, либо запуска WP# HIGH в дополнение к выполнению обычных последовательностей записи или снятия.Этот блок может использоваться для хранения кода, реализованного в восстановлении системы низкого уровня.Остальные блоки различаются по плотности и записываются и стираются без дополнительных мер безопасности.

СТРАНИЦЫ

• Семь блоков стирания:
16KB/8K-слово загрузочный блок (защищен)
Два блока параметров слов 8KB/4K
Четыре основных блока памяти
• Технология "Умный 3" (B3):
3.3V ±0.3V ВЦС
3.3V ±0.3V программирование приложений VPP
5V ± 10% VPP приложение/программирование производства1
• Совместима с устройством Smart 3 длиной 0,3 мкм
• Продвинутый 0,18 мкм CMOS плавучий процесс
• Время доступа к адресу: 80 нс
• 100 000 циклов
• Стандартные отраслевые указатели
• Входы и выходы полностью совместимы с TTL
• Автоматизированный алгоритм записи и удаления
• Двухцикличная последовательность WRITE/ERASE
• ЧИТАТЬ и ПОСЛИЧИТАТЬ по байту или по слову
(MT28F400B3, 256K x 16/512K x 8)
• Только для чтения и записи на общем байте
(MT28F004B3, 512K x 8)
• варианты упаковки в соответствии с ТСОП и СОП

Спецификации

Атрибут Значение атрибута
Производитель Микрон Технологии Инк.
Категория продукции Мемориальные микросхемы
Серия -
Опаковка Поднос
Пакетный чехол 40-TFSOP (0,724", 18,40 мм в ширину)
Операционная температура 0°C ~ 70°C (TA)
Интерфейс Параллельно
Напряжение 3 В ~ 3,6 В
Пакет изделий поставщика 40-TSOP I
Способность памяти 4M (512K x 8)
Тип памяти ФЛАСШ - НО
Скорость 80 нс
Формат-память ФЛАСШ

Описания

Flash - NOR Memory IC 4Mb (512K x 8) Параллельный 80ns 40-TSOP I
Запрос Корзина 0