Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

Компания Sanhuang Electronics (Hong Kong) Co., Limited

Manufacturer from China
Проверенные Поставщика
3 лет
Главная / продукты / Flash Memory IC /

MT46V16M16CY-5B IT:MIC DRAM 256 МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 60FBGA Micron Technology Inc.

контакт
Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.
Посетите вебсайт
Город:shenzhen
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissZhao
контакт

MT46V16M16CY-5B IT:MIC DRAM 256 МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 60FBGA Micron Technology Inc.

Спросите последнюю цену
Номер модели :MT46V16M16CY-5B ИТ: M
Минимальное количество заказа :1
Условия оплаты :T/T
Способность к поставкам :В наличии
Время доставки :3-5 рабочих дней
Подробная информация об упаковке :антистатический пакет и картонная коробка
Тип памяти :Испаряющий
Формат памяти :ДРАХМА
Технологии :SDRAM-DDR
Размер запоминающего устройства :256Mbit
Организация памяти :16M x 16
Интерфейс памяти :Параллельно
Тактовая частота :200 МГц
Напишите время цикла - слово, страницу :15ns
Время выборки :700 ps
Напряжение - питание :2,5 В ~ 2,7 В
Операционная температура :-40 °C ~ 85 °C (TA)
Тип установки :Поверхностный монтаж
Пакет / чемодан :60-TFBGA
Пакет изделий поставщика :60-FBGA (8x12.5)
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Подробная информация о продукции

Общее описание

DDR333 SDRAM представляет собой высокоскоростную CMOS, динамическую память с случайным доступом, которая работает на частоте 167 МГц (tCK = 6 нс) с пиковой скоростью передачи данных 333 Мб/с/с.DDR333 продолжает использовать стандартный интерфейс JEDEC SSTL_2 и архитектуру 2n-prefetch.

СТРАНИЦЫ

• Часы 167 МГц, скорость передачи данных 333 Мб/с/с
•VDD= +2,5V ±0,2V, VDDQ = +2,5V ±0,2V
• Двунаправленная стереографическая система данных (DQS), передаваемая/принимаемая с данными, т.е. синхронный с источником захват данных (x16 имеет два - один на байт)
• Внутренняя архитектура с двойной скоростью передачи данных (DDR); два доступа к данным в часовой цикл
• Дифференциальные часовые входы (CK и CK#)
• Команды, введенные на каждом положительном краю CK
• Край DQS выровнен с данными для READ; центр выровнен с данными для WRITE
• DLL для согласования переходов DQ и DQS с CK
• Четыре внутренних банка для одновременной работы
• Маска данных (DM) для маскировки записываемых данных (x16 имеет два - один на байт)
• Программируемые длины взрывов: 2, 4 или 8
• Поддерживается возможность одновременной автоматической предварительной зарядки
• Автоматическое обновление и самообновление
• доступный пакет FBGA
• 2,5 В В/В (совместимая с SSTL_2)
• блокировка tRAS (tRAP = tRCD)
• Обратная совместимость с DDR200 и DDR266

Спецификации

Атрибут Значение атрибута
Производитель Микрон Технологии Инк.
Категория продукции Мемориальные микросхемы
Серия -
Опаковка Замена упаковки на подносе
Пакетный чехол 60-TFBGA
Операционная температура -40 °C ~ 85 °C (TA)
Интерфейс Параллельно
Напряжение 2.5 V ~ 2.7 V
Пакет изделий поставщика 60-FBGA (8x12.5)
Способность памяти 256 М (16 М х 16)
Тип памяти DDR SDRAM
Скорость 5 нс
Формат-память ОЗУ

Описания

SDRAM - память DDR IC 256Mb (16M x 16) параллельно 200MHz 700ps 60-FBGA (8x12.5)
DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2,6V 60-пиновая FBGA
Запрос Корзина 0