Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

Компания Sanhuang Electronics (Hong Kong) Co., Limited

Manufacturer from China
Проверенные Поставщика
3 лет
Главная / продукты / Flash Memory IC /

MT47H128M4CF-25E:G IC DRAM 512 МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 60FBGA Micron Technology Inc.

контакт
Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.
Посетите вебсайт
Город:shenzhen
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissZhao
контакт

MT47H128M4CF-25E:G IC DRAM 512 МБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 60FBGA Micron Technology Inc.

Спросите последнюю цену
Номер модели :MT47H128M4CF-25E:Г
Минимальное количество заказа :1
Условия оплаты :T/T
Способность к поставкам :В наличии
Время доставки :3-5 рабочих дней
Подробная информация об упаковке :антистатический пакет и картонная коробка
Тип памяти :Испаряющий
Формат памяти :ДРАХМА
Технологии :SDRAM - DDR2
Размер запоминающего устройства :512Mbit
Организация памяти :128м х 4
Интерфейс памяти :Параллельно
Тактовая частота :400 МГц
Напишите время цикла - слово, страницу :15ns
Время выборки :400 ps
Напряжение - питание :1.7V ~ 1.9V
Операционная температура :0°C | 85°C (TC)
Тип установки :Поверхностный монтаж
Пакет / чемодан :60-TFBGA
Пакет изделий поставщика :60-FBGA (8x10)
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Подробная информация о продукции

DDR2 SDRAM

MT47H256M4
MT47H128M8
MT47H64M16 8 Meg x 16 x 8 банков

Особенности

• VDD = 1,8V ± 0,1V, VDDQ = 1,8V ± 0,1V
• стандарт JEDEC 1.8V I/O (совместим с SSTL_18)
• Дифференциальная стержня данных (DQS, DQS#)
• 4n-битная архитектура предварительного поиска
• Опция дублирования выходной стробографии (RDQS) для x8
• DLL для согласования переходов DQ и DQS с CK
• 8 внутренних банков для одновременной работы
• Программируемая задержка CAS (CL)
• Зарегистрированная латентность CAS-аддитива (AL)
• WRITE-задержка = READ-задержка - 1 tCK
• Выбираемые длины взрывов (BL): 4 или 8
• Регулируемая мощность привода
• 64 мс, 8192 цикла обновления
• Окончание процесса (ODT)
• Опция промышленной температуры (IT)
• Опция автомобильной температуры (AT)
• Соответствие требованиям RoHS
• Поддерживает спецификацию JEDEC clock jitter

Спецификации

Атрибут Значение атрибута
Производитель Микрон Технологии Инк.
Категория продукции Мемориальные микросхемы
Серия -
Опаковка Поднос
Пакетный чехол 60-TFBGA
Операционная температура 0°C ~ 85°C (TC)
Интерфейс Параллельно
Напряжение 10,7 V ~ 1,9 V
Пакет изделий поставщика 60-FBGA (8x10)
Способность памяти 512M (128Mx4)
Тип памяти DDR2 SDRAM
Скорость 2.5 нс
Формат-память ОЗУ

Описания

SDRAM - DDR2 Память IC 512Mb (128M x 4) Параллельная 400MHz 400ps 60-FBGA (8x10)
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 128Mx4 1.8V 60-пинная FBGA
Запрос Корзина 0