Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

Компания Sanhuang Electronics (Hong Kong) Co., Limited

Manufacturer from China
Проверенные Поставщика
3 лет
Главная / продукты / Flash Memory IC /

CYD09S36V18-200BBXI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA Cypress Semiconductor Corp.

контакт
Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.
Посетите вебсайт
Город:shenzhen
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissZhao
контакт

CYD09S36V18-200BBXI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA Cypress Semiconductor Corp.

Спросите последнюю цену
Номер модели :CYD09S36V18-200BBXI
Минимальное количество заказа :1
Условия оплаты :T/T
Способность к поставкам :В наличии
Время доставки :3-5 рабочих дней
Подробная информация об упаковке :антистатический пакет и картонная коробка
Тип памяти :Испаряющий
Формат памяти :SRAM
Технологии :SRAM - двойной порт, синхронный
Размер запоминающего устройства :9Mbit
Организация памяти :256K x 36
Интерфейс памяти :Параллельно
Тактовая частота :200 МГц
Напишите время цикла - слово, страницу :-
Время выборки :3,3 ns
Напряжение - питание :1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
Операционная температура :-40 °C ~ 85 °C (TA)
Тип установки :Поверхностный монтаж
Пакет / чемодан :256-LBGA
Пакет изделий поставщика :256-FBGA (17x17)
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Подробная информация о продукции

Осяные свинцовые точные резисторы

Ассортимент точной металлической пленки Holco отвечает требованиям к экономически выгодным компонентам для промышленных и военных применений.Производственный завод использует тщательно контролируемые производственные процессы, включая распылительную покрытие пленок из металлических сплавов керамическими подложками.Для защиты окружающей среды и механической защиты применяется эпоксидное покрытие.Коммерчески серия доступна в двух размерах корпуса, от 1 Ом до 4 М Ом, допустимые отклонения от 0,05% до 1% и TCR от 5ppm/°C до 100ppm/°C. Предлагается с выпуском в BS CECC 40101 004, 030 и 804 H8 доступен через распространение.

Ключевые особенности

■ Ультраточность - до 0,05%
■ Соответствующие наборы доступны до 2ppm/°C
■ Высокий импульс
■ Низкая реактивность
■ Низкий TCR - до 5 ppm/°C
■ Долгосрочная стабильность
■ До 1 ватта при 70°С
■ Выпущено в CECC 40101 004, 030 и 804

Спецификации

Атрибут Значение атрибута
Производитель Кипарис полупроводник
Категория продукции Мемориальные микросхемы
Серия CYD09S36V18
Тип Синхронный
Опаковка Поднос
Стиль установки SMD/SMT
Пакетный чехол 256-LBGA
Операционная температура -40 °C ~ 85 °C (TA)
Интерфейс Параллельно
Напряжение 1.42 V ~ 1,58 V, 1,7 V ~ 1,9 V
Пакет изделий поставщика 256-FBGA (17х17)
Способность памяти 9M (256K x 36)
Тип памяти SRAM - двойной порт, синхронный
Скорость 200 МГц
Коэффициент данных СДР
Время доступа 3.3 нс
Формат-память ОЗУ
Максимальная рабочая температура + 85 C
Диапазон температуры работы - 40 градусов.
Тип интерфейса Параллельно
Организация 256 к × 36
Максимальный ток подачи 670 мА
Максимальное напряжение питания 1.9 В
Напряжение питания-минус 1.7 В
Пакетный чехол FBGA-256
Максимальная часовая частота 200 МГц

Описания

SRAM - двойной порт, синхронная память IC 9Mb (256K x 36) параллельно 200MHz 3.3ns 256-FBGA (17x17)
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 9M-Bit 256K x 36 9ns/5ns 256-Pin FBGA Tray
SRAM 9MB (256Kx36) 1.8v 200MHz синхронная SRAM
Запрос Корзина 0