Категории продукта

Интегральные схемаы интерфейса

[17]

Сбор информации IC

[7]

контакт

Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

Посетите вебсайт

Город:shenzhen

Страна/регион:china

Контактное лицо:MissZhao

контактная информация

контакт

AS4C16M16D1-5BCN IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA Альянс памяти, Inc.

Спросите последнюю цену

Номер модели :AS4C16M16D1-5BCN

Минимальное количество заказа :1

Условия оплаты :T/T

Способность к поставкам :В наличии

Время доставки :3-5 рабочих дней

Подробная информация об упаковке :антистатический пакет и картонная коробка

Тип памяти :Испаряющий

Формат памяти :ДРАХМА

Технологии :SDRAM-DDR

Размер запоминающего устройства :256Mbit

Организация памяти :16M x 16

Интерфейс памяти :Параллельно

Тактовая частота :200 МГц

Напишите время цикла - слово, страницу :15ns

Время выборки :700 ps

Напряжение - питание :2.3V | 2.7V

Операционная температура :0°C ~ 70°C (TA)

Тип установки :Поверхностный монтаж

Пакет / чемодан :60-TFBGA

Пакет изделий поставщика :60-TFBGA (8x13)

контакт

Add to Cart

Посмотреть описание продукта

Подробная информация о продукции

Особенности

• Организация: 1,048,576 слов × 4 бита
• Высокая скорость
- 40/50/60/70 нс времени доступа к RAS
- 20/25/30/35 ns время доступа к адресу столбца
- 10/13/15/18 ns время доступа CAS
• Низкое потребление энергии
- Активный: 385 мВт максимум (-60)
- В режиме ожидания: 5,5 мВт максимум, CMOS I/O
• режим быстрой страницы (AS4C14400) или EDO (AS4C14405)
• 1024 цикла обновления, интервал обновления 16 мс
- обновление только RAS или CAS до RAS
• Читать-изменить-записать
• совместимые с TTL, I/O трех состояний
• Стандартные пакеты JEDEC
- 300 миллилитров, 20/26-пиновый SOJ
- 300 миллилитров, 20/26-принтовая ПТП
• Единое 5В питание
• Защита от ESD ≥ 2001V
• Замыкающий ток ≥ 200 мА

Спецификации

Атрибут	Значение атрибута
Производитель	Альянс Память, Inc.
Категория продукции	Мемориальные микросхемы
Серия	AS4C16M16D1
Тип	DDR1
Опаковка	Замена упаковки на подносе
Стиль установки	SMD/SMT
Пакетный чехол	60-TFBGA
Операционная температура	0°C ~ 70°C (TA)
Интерфейс	Параллельно
Напряжение	2.3 В ~ 2,7 В
Пакет изделий поставщика	60-TFBGA (13x8)
Способность памяти	256 М (16 М х 16)
Тип памяти	DDR SDRAM
Скорость	200 МГц
Время доступа	0.7 нс
Формат-память	ОЗУ
Максимальная рабочая температура	+ 70 C
Диапазон температуры работы	0 C
Организация	16 М х 16
Максимальный ток подачи	135 мА
ширина ширины ширины	16 бит
Максимальное напряжение питания	2.7 В
Напряжение питания-минус	2.3 В
Пакетный чехол	TFBGA-60
Максимальная часовая частота	200 МГц

Описания

SDRAM - память DDR IC 256Mb (16M x 16) параллельно 200MHz 700ps 60-TFBGA (8x13)

DRAM 256M 2.5V 200Mhz 16M x 16 DDR1

Запрос Корзина 0