Категории продукта

Интегральные схемаы интерфейса

[17]

Сбор информации IC

[7]

контакт

Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

Посетите вебсайт

Город:shenzhen

Страна/регион:china

Контактное лицо:MissZhao

контактная информация

контакт

DS1345YP-70+ IC NVSRAM 1 Мбит PAR 34PWRCAP Analog Devices Inc./Maxim Integrated

Спросите последнюю цену

Номер модели :DS1345YP-70+

Минимальное количество заказа :1

Условия оплаты :T/T

Способность к поставкам :В наличии

Время доставки :3-5 рабочих дней

Подробная информация об упаковке :антистатический пакет и картонная коробка

Тип памяти :Слаболетучий

Формат памяти :NVSRAM

Технологии :NVSRAM (слаболетучее SRAM)

Размер запоминающего устройства :1Мбит

Организация памяти :128K x 8

Интерфейс памяти :Параллельно

Тактовая частота :-

Напишите время цикла - слово, страницу :70ns

Время выборки :70 ns

Напряжение - питание :4.5V ~ 5.5V

Операционная температура :0°C ~ 70°C (TA)

Тип установки :Поверхностный монтаж

Пакет / чемодан :модуль 34-PowerCap™

Пакет изделий поставщика :модуль 34-PowerCap

контакт

Add to Cart

Посмотреть описание продукта

Подробная информация о продукции

Описание

DS1345 1024k NV SRAM составляет 1,048,576 бит, полностью статические, NV SRAM организованные как 131,072 слова на 8 бит.Каждая NV SRAM имеет самостоятельный литийный источник энергии и схему управления, которая постоянно контролирует VCC на нарушение допустимых условий.При таком состоянии литийный источник энергии автоматически включается, а защита от записи безусловно включена, чтобы предотвратить повреждение данных.Устройства DS1345 имеют специальную схему для мониторинга состояния VCC и состояния внутренней литиевой батареи..

СТРАНИЦЫ

■ 10 лет минимального хранения данных при отсутствии внешнего питания
■ Данные автоматически защищаются при отключении питания
■ Монитор питания перезагружает процессор при потере мощности VCC и держит процессор в режиме перезагрузки во время VCC
■ Монитор батареи ежедневно проверяет оставшуюся емкость
■ Время доступа к чтению и записи 70 нс
■ Неограниченный цикл записи
■ Типичный резервный ток 50μA
■ Обновление на 128k x 8 SRAM, EEPROM или Flash
■ Литийная батарея электрически отключается, чтобы сохранить свежесть до первого заряда
■ полный диапазон работы ВСК ±10% (DS1345Y) или дополнительный диапазон работы ВСК ±5% (DS1345AB)
■ Факультативный диапазон промышленной температуры от -40°C до +85°C, обозначенный IND
■ Пакет PowerCap Module (PCM)
- Модуль, устанавливаемый непосредственно на поверхность
- Заменяемая сцепная PowerCap обеспечивает литийную резервную батарею
- Стандартизированная вывеска для всех нелетающих (NV) продуктов SRAM
Имя?

Спецификации

Атрибут	Значение атрибута
Производитель	Максим Интегрирован
Категория продукции	Мемориальные микросхемы
Серия	DS1345Y
Опаковка	Трубка
Стиль установки	SMD/SMT
Пакетный чехол	Модуль 34-PowerCap?
Операционная температура	0°C ~ 70°C (TA)
Интерфейс	Параллельно
Напряжение	4.5 V ~ 5.5 V
Пакет изделий поставщика	Модуль 34-PowerCap
Способность памяти	1M (128K x 8)
Тип памяти	NVSRAM (нелетающая SRAM)
Скорость	70 нм
Время доступа	70 нс
Формат-память	ОЗУ
Максимальная рабочая температура	+ 70 C
Диапазон температуры работы	0 C
Операционный ток	85 мА
Тип интерфейса	Параллельно
Организация	128 к × 8
Часть-#-Алиазы	90-1345Y+P70 DS1345Y
ширина ширины ширины	8 бит
Максимальное напряжение питания	5.5 В
Напряжение питания-минус	4.5 В
Пакетный чехол	Модуль PowerCap-34

Описания

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Память IC 1Mb (128K x 8) Параллельный 70ns 34-PowerCap Модуль

NVRAM 1024K NV SRAM с аккумуляторным монитором

Запрос Корзина 0