Мобильная маломощная DDR SDRAM
Особенности
• VDD/VDDQ = 1,70 ≈ 1,95 Вт
• Двунаправленный данный строб на байт данных (DQS)
• Внутренняя архитектура двойной скорости передачи данных (DDR); два доступа к данным на один часовой цикл
• Дифференциальные часовые входы (CK и CK#)
• Команды, введенные на каждом положительном краю CK
• Край DQS выровнен с данными для READ; центр выровнен с данными для WRITE
• 4 внутренних банка для одновременной работы
• Маски данных (DM) для маскировки записываемых данных; одна маска на байт
• Программируемые длины взрывов (BL): 2, 4, 8 или 16
• Поддерживается возможность автоматической предварительной зарядки
• Автоматическое обновление и режим самообновления
• Входы, совместимые с LVCMOS 1,8 В
• Самообновление с компенсацией температуры (TCSR)
• Частичное самообновление массива (PASR)
• Глубокое отключение питания (DPD)
• Регистр чтения состояния (SRR)
• Выбираемая мощность привода (DS)
• Возможность остановки часов
• 64 мс обновления, 32 мс для автомобильной температуры
