Описание устройства
В этом разделе представлен обзор функций устройства Intel® Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3), упаковки, наименования сигнала и архитектуры устройства.
Обзор продукции
Устройство C3 обеспечивает высокопроизводительные асинхронные считывания в пакетно-совместимых плотностях с 16-разрядной шиной данных.Восемь блоков параметров 4 Kword расположены в блоке загрузки в верхней или нижней части карты памяти устройстваОстальная часть массива памяти сгруппирована в 32 основных блока Kword.
Характеристики продукта
■ Гибкая технология "умного напряжения"
¥2.7 V ¥3.6 V Читать/Программировать/Удалить
12 В для программирования быстрого производства
■ 1,65 V/2,5 V или 2,7 V/3,6 V
Уменьшает общую мощность системы
■ Высокая производительность
¥2.7 V ¥3.6 V: 70 нс Максимальное время доступа
■ Оптимизированная архитектура для хранения данных в коде плюс
8 блоков 4 кворда, верхний или нижний параметр загрузки
До 127 32 квардных блоков
Возможность приостановки быстрой программы
Возможность быстрого стирания
■ Гибкое блокирование
¢ Закрыть/отключить любой блок
Полное защищение при включении
Пин для защиты аппаратных блоков
■ Низкое энергопотребление
Обычное чтение 9 mA
Обычный режим ожидания с автоматической системой энергосбережения (APS)
■ Работа на расширенной температуре
от 40 °C до +85 °C
■ 128-разрядный регистр защиты
Уникальный идентификатор устройства 64-битный
64 битовые программируемые пользовательскими OTP ячейками
■ Увеличение возможностей для езды на велосипеде
Минимально 100 000 циклов блокировки
■ Программное обеспечение
Интегратор данных Intel® Flash (FDI)
Поддерживает верхнее или нижнее хранилище загрузки, потоковую передачу данных (например, голоса)
¢ Интел Базовый набор команд
Общий интерфейс Flash (CFI)
■ Стандартная упаковка для поверхностного монтажа
¢48-Кружка μBGA*/VFBGA
Пакеты BGA с 64 шарами
¥48-Лидный пакет TSOP
■ Технология ETOXTM VIII (0,13 мкм)
¥16, 32 Мбит
■ Технология ETOXTM VII (0,18 мкм)
¥16, 32, 64 Мбит
■ Технология ETOXTM VI (0,25 мкм)
¥8, 16 и 32 Мбит
