Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

Компания Sanhuang Electronics (Hong Kong) Co., Limited

Manufacturer from China
Проверенные Поставщика
3 лет
Главная / продукты / Flash Memory IC /

MT48LC16M16A2P-6A:G TR IC DRAM 256 Мбит PAR 54TSOP II Micron Technology Inc.

контакт
Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.
Посетите вебсайт
Город:shenzhen
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissZhao
контакт

MT48LC16M16A2P-6A:G TR IC DRAM 256 Мбит PAR 54TSOP II Micron Technology Inc.

Спросите последнюю цену
Номер модели :MT48LC16M16A2P-6A: G TR
Минимальное количество заказа :1
Условия оплаты :T/T
Способность к поставкам :В наличии
Время доставки :3-5 рабочих дней
Подробная информация об упаковке :антистатический пакет и картонная коробка
Тип памяти :Испаряющий
Формат памяти :ДРАХМА
Технологии :SDRAM
Размер запоминающего устройства :256Mbit
Организация памяти :16M x 16
Интерфейс памяти :Параллельно
Тактовая частота :167 MHz
Напишите время цикла - слово, страницу :12ns
Время выборки :5,4 ns
Напряжение - питание :3V ~ 3,6V
Операционная температура :0°C ~ 70°C (TA)
Тип установки :Поверхностный монтаж
Пакет / чемодан :54-TSOP (0,400", ширина 10.16mm)
Пакет изделий поставщика :54-TSOP II
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Подробная информация о продукции

Общее описание

256 Мб SDRAM - это высокоскоростная CMOS, динамическая память с случайным доступом, содержащая 268,435Он внутренне сконфигурирован как квадробанковая DRAM с синхронным интерфейсом (все сигналы регистрируются на положительном краю часового сигнала, CLK).108, 864-битные банки организованы в 8192 ряда по 2048 столбцов по 4 бита.108, 864-битные банки организованы в 8192 ряда по 1024 колонки по 8 бит.108864-битные банки организованы в 8192 ряда по 512 столбцов по 16 бит.

Особенности

• Соответствует требованиям PC100 и PC133
• Полностью синхронный; все сигналы регистрируются на положительном краю системного часа
• Внутренняя трубопроводная работа; адрес колонки может меняться каждый цикл часов
• Внутренние банки для скрытого доступа / предварительной зарядки
• Программируемые длины записей: 1, 2, 4, 8 или полная страница
• Автоматическая предварительная зарядка, включающая одновременную автоматическую предварительную зарядку и режимы автоматического обновления
• Режим самообновления
• 64 мс, 8,192 цикла обновления
• Входы и выходы, совместимые с LVTTL
• Единое +3,3V ±0,3V питание

Спецификации

Атрибут Значение атрибута
Производитель Микрон Технологии Инк.
Категория продукции Мемориальные микросхемы
Серия -
Опаковка Альтернативная упаковка
Пакетный чехол 54-TSOP (0,400", ширина 10,16 мм)
Операционная температура 0°C ~ 70°C (TA)
Интерфейс Параллельно
Напряжение 3 В ~ 3,6 В
Пакет изделий поставщика 54-ТСОП II
Способность памяти 256 М (16 М х 16)
Тип памяти SDRAM
Скорость 167 МГц
Формат-память ОЗУ

Описания

Память SDRAM IC 256Mb (16M x 16) Параллельно 167MHz 5.4ns 54-TSOP II
Запрос Корзина 0