Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

Компания Sanhuang Electronics (Hong Kong) Co., Limited

Manufacturer from China
Проверенные Поставщика
3 лет
Главная / продукты / Flash Memory IC /

MT29F2G08ABAEAH4-IT:E IC FLASH 2 ГБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 63VFBGA Micron Technology Inc.

контакт
Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.
Посетите вебсайт
Город:shenzhen
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissZhao
контакт

MT29F2G08ABAEAH4-IT:E IC FLASH 2 ГБИТ ПАРАЛЛЕЛЬНО 63VFBGA Micron Technology Inc.

Спросите последнюю цену
Номер модели :MT29F2G08ABAEAH4-IT:E
Минимальное количество заказа :1
Условия оплаты :T/T
Способность к поставкам :В наличии
Время доставки :3-5 рабочих дней
Подробная информация об упаковке :антистатический пакет и картонная коробка
Тип памяти :Слаболетучий
Формат памяти :ВСПЫШКА
Технологии :ВСПЫШКА - NAND
Размер запоминающего устройства :2Gbit
Организация памяти :256 м х 8
Интерфейс памяти :Параллельно
Тактовая частота :-
Напишите время цикла - слово, страницу :-
Время выборки :-
Напряжение - питание :2.7V ~ 3.6V
Операционная температура :-40 °C ~ 85 °C (TA)
Тип установки :Поверхностный монтаж
Пакет / чемодан :63-VFBGA
Пакет изделий поставщика :63-VFBGA (9x11)
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Подробная информация о продукции

Общее описание

Устройства Micron NAND Flash включают асинхронный интерфейс данных для высокопроизводительных операций ввода/вывода.Есть пять сигналов управления используется для реализации asyn chronous интерфейс данных: CE#, CLE, ALE, WE# и RE#. Дополнительные сигналы контролируют защиту от записи оборудования (WP#) и отслеживают состояние устройства (R/B#).

Особенности

• Открытый интерфейс NAND Flash (ONFI) 2.2-совместимый1
• Технология многоуровневых клеток (MLC)
• Организация
Размер страницы x8: 8640 байтов (8192 + 448 байтов)
Размер блока: 256 страниц (2048K + 112K байтов)
Размер самолета: 2 самолета х 2048 блоков на самолет
Размер устройства: 64 Гб: 4096 блоков;
128 Гб: 8192 блока;
256 Гб: 16 384 блока;
512 Гб: 32 786 блоков
• Синхронная производительность ввода/вывода
️ до синхронного режима синхронизации 5
Сроки работы: 10 нс (DDR)
Пропускная способность чтения/записи на пин: 200 МТ/с
• Асинхронная производительность ввода/вывода
До 5 режима асинхронного синхронизации

tRC/tWC: 20 нс (MIN)
• Производительность массива
Читать страницу: 50μs (MAX)
Страница программы: 1300μs (TYP)
Блок стирания: 3 мс (TYP)
• Диапазон рабочего напряжения
ВВС: 2,7-3,6 В.
ВВКК: 1,7-1,95 В, 2,7-3,6 В.
• Комплект команд: ONFI NAND Flash Protocol
• Расширенный набор команд
Каше программы
Читать последовательность кэша
Читать случайный кэш
Одноразовый программируемый режим (OTP)
️ Команды на несколько уровней
¢ операции с несколькими LUN
Читать уникальный идентификатор
Копии
• Первый блок (адрес блока 00h) действителен при отправке
Для минимальной необходимости ECC см.
Управление ошибками (страница 109).
• Ресеть (FFh) требуется в качестве первой команды после включения
на
• Байт состояния операции предоставляет программный метод для
обнаружение
Окончание операции
Условия прохождения/отказы
Статус защиты от записи
• Сигналы DQS обеспечивают аппаратный метод
для синхронизации данных DQ в синхронном
интерфейс
• Поддерживаются операции по копированию в самолете
из которого читаются данные
• Качество и надежность
Хранение данных: 10 лет
Продолжительность: 5000 циклов программы/удаления
• Рабочая температура:
Коммерческая: от 0 до +70°С
Промышленный (IT): от 40 до + 85 °C
• Пакет
– 52-pad LGA
48-контактная ПТП
100 шаров BGA

Спецификации

Атрибут Значение атрибута
Производитель Микрон Технологии Инк.
Категория продукции Мемориальные микросхемы
Категории Память
Производитель Микрон Технологии Инк.
Серия -
Опаковка Поднос
Статус части Активный
Тип памяти Нелетающие
Формат памяти ФЛАСШ
Технологии Flash - NAND
Размер памяти 2 Гб (256 Мх x 8)
Пишите-цикл-время-слово-страница -
Интерфейс памяти Параллельно
Напряжение 2.7 В ~ 3.6 В
Операционная температура -40 °C ~ 85 °C (TA)
Тип установки Поверхностный монтаж
Пакетный чехол 63-VFBGA
Пакет изделий поставщика 63-VFBGA (9x11)
Число базовых частей MT29F2G08

Описания

Flash - NAND Memory IC 2Gb (256M x 8) Параллельный 63-VFBGA (9x11)
SLC NAND Flash Parallel 3.3V 2G-битный 256M x 8 63-пинный VFBGA трей
Запрос Корзина 0