Категории продукта

Интегральные схемаы интерфейса

[17]

Сбор информации IC

[7]

контакт

Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

Посетите вебсайт

Город:shenzhen

Страна/регион:china

Контактное лицо:MissZhao

контактная информация

контакт

CY7C2663KV18-450BZI IC SRAM 144MBIT PAR 165FBGA Технологии Infineon

Спросите последнюю цену

Номер модели :CY7C2663KV18-450BZI

Минимальное количество заказа :1

Условия оплаты :T/T

Способность к поставкам :В наличии

Время доставки :3-5 рабочих дней

Подробная информация об упаковке :антистатический пакет и картонная коробка

Тип памяти :Испаряющий

Формат памяти :SRAM

Технологии :SRAM - Одновременный, QDR II+

Размер запоминающего устройства :144 Мбит

Организация памяти :8м х 18м

Интерфейс памяти :Параллельно

Тактовая частота :450 МГц

Напишите время цикла - слово, страницу :-

Время выборки :-

Напряжение - питание :1.7V ~ 1.9V

Операционная температура :-40 °C ~ 85 °C (TA)

Тип установки :Поверхностный монтаж

Пакет / чемодан :165-LBGA

Пакет изделий поставщика :165-FBGA (15х17)

контакт

Add to Cart

Посмотреть описание продукта

Подробная информация о продукции

Функциональное описание

CY7C266 представляет собой высокопроизводительный 8192-словесный 8-битный CMOS PROM. При отмене выбора CY7C266 автоматически переходит в режим ожидания с низкой мощностью. Он упакован в пакет шириной 600 миллиметров.Перепрограммируемые пакеты оснащены окном стирания; при воздействии УФ-луча эти ПРОМ стираются и затем могут быть перепрограммированы.

Особенности

• CMOS для оптимальной скорости/мощности
• Окна для перепрограммируемости
• Высокая скорость
20 нс (коммерческий)
• Низкая мощность
660 мВт (коммерческий)
• Сверхнизкая мощность в режиме ожидания
️ менее 85 мВт при отмене выбора
• Технология EPROM 100% программируемая
• 5В ± 10% ВЦК, коммерческие и военные
• I/O совместимые с TTL
• Прямая замена EPROM 27C64

Спецификации

Атрибут	Значение атрибута
Производитель	Кипарис полупроводник
Категория продукции	Мемориальные микросхемы
Серия	CY7C2663KV18
Тип	Синхронный
Опаковка	Поднос
Стиль установки	SMD/SMT
Пакетный чехол	165-LBGA
Операционная температура	-40 °C ~ 85 °C (TA)
Интерфейс	Параллельно
Напряжение	10,7 V ~ 1,9 V
Пакет изделий поставщика	165-FBGA (15х17)
Способность памяти	144M (8M x 18)
Тип памяти	SRAM - синхронный, QDR II+
Скорость	450 МГц
Время доступа	0.45 нс
Формат-память	ОЗУ
Максимальная рабочая температура	+ 85 C
Диапазон температуры работы	- 40 градусов.
Тип интерфейса	Параллельно
Организация	8 М х 18
Максимальный ток подачи	940 мА
Максимальное напряжение питания	1.9 В
Напряжение питания-минус	1.7 В
Пакетный чехол	FBGA-165
Максимальная часовая частота	450 МГц

Описания

SRAM - синхронная, QDR II+ память IC 144Mb (8M x 18) параллельная 450MHz 165-FBGA (15x17)

SRAM Chip Sync Dual 1.8V 144M-Bit 8M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray

SRAM 144Mb 1.8V 450Mhz 8M x 18 QDR II SRAM

Запрос Корзина 0