Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.
Компания Sanhuang Electronics (Hong Kong) Co., Limited
Add to Cart
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производитель | на полу |
| Категория продукции | Мемориальные микросхемы |
| Серия | CAT24C128 |
| Опаковка | Альтернативная упаковка |
| Единичная масса | 0.005573 унций |
| Стиль установки | SMD/SMT |
| Пакетный чехол | 8-TSSOP (0,173", 4,40 мм в ширину) |
| Операционная температура | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Интерфейс | I2C, 2-проводный серийный |
| Напряжение | 10,8 V ~ 5,5 V |
| Пакет изделий поставщика | 8-TSSOP |
| Способность памяти | 128K (16K x 8) |
| Тип памяти | EEPROM |
| Скорость | 400 кГц |
| Время доступа | 900 нс |
| Формат-память | EEPROM - серийные |
| Максимальная рабочая температура | + 85 C |
| Диапазон температуры работы | - 40 градусов. |
| Рабочее напряжение питания | 2.5 V 3.3 V 5 V |
| Операционный ток | 3 мА |
| Тип интерфейса | Серийный 2-проводной I2C |
| Организация | 16 к х 8 |
| Максимальный ток подачи | 3 мА |
| Максимальное напряжение питания | 5.5 В |
| Напряжение питания-минус | 1.8 В |
| Пакетный чехол | TSSOP-8 |
| Максимальная часовая частота | 0.4 МГц |
| Сохранение данных | Сто лет |
| Производитель части# | Описание | Производитель | Сравните |
| BR24S128FVT-WE2 Память |
EEPROM, 16KX8, серийный, CMOS, PDSO8, соответствующий требованиям ROHS, TSSOP-8 | ROHM полупроводник | CAT24C128YI-GT3 против BR24S128FVT-WE2 |
| CAV24C128YE-GT3 Память |
EEPROM Serial 128-Kb I | На полупроводнике | CAT24C128YI-GT3 против CAV24C128YE-GT3 |
| BR24T128FVT-WGE2 Память |
2 | ROHM полупроводник | CAT24C128YI-GT3 против BR24T128FVT-WGE2 |
| BR24T128FV-WGE2 Память |
C - Автомобильный класс, TSSOP8, 4.4x3, 3000-REEL | ROHM полупроводник | CAT24C128YI-GT3 против BR24T128FV-WGE2 |
| BR24G128FVT-3GE2 Память |
EEPROM, 16KX8, Serial, CMOS, PDSO8, без галогенов и соответствующий требованиям ROHS, TSSOP-8 | ROHM полупроводник | CAT24C128YI-GT3 против BR24G128FVT-3GE2 |
| CAT24C128YE-GT3 Память |
EEPROM, 16KX8, Serial, CMOS, PDSO8, без галогенов и соответствующий требованиям ROHS, SSOP-8 | На полупроводнике | CAT24C128YI-GT3 против CAT24C128YE-GT3 |
| BR24G128FVT-3E2 Память |
EEPROM, 16KX8, Serial, CMOS, PDSO8, TSSOP-8 | ROHM полупроводник | CAT24C128YI-GT3 против BR24G128FVT-3E2 |
| BR24S128FV-WE2 Память |
16KX8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 4,40 X 3 MM, без галогенов и соответствующий требованиям ROHS, MO-153, TSSOP-8 | ROHM полупроводник | CAT24C128YI-GT3 против BR24S128FV-WE2 |
| BR24G128FVJ-3GTE2 Память |
EEPROM, 16KX8, Serial, CMOS, PDSO8, TSSOP-8 | ROHM полупроводник | CAT24C128YI-GT3 против BR24G128FVJ-3GTE2 |