Субстрат венисы галлия гадолиния (GGG), превосходный материал субстрата для эпитаксиальных пленок венисы Fe Bi
Субстрат венисы галлия гадолиния (GGG), один из более предыдущих начатых материалов венисы, нельзя использовать по мере того как субстрат высокого висмута заменил эпитаксиальный слой венисы утюга из-за своей небольшой константы решетки. Поэтому, кристаллы sggg с Ca, Mg и Zr по мере того как ионы замещением более соответствующие для эпитаксиальных пленок.
Материальные свойства
| Валовая формула |
Замененное GdaGa5O12 |
|
Кристаллическая структура
|
Кубическая система |
| Решетка постоянн |
a=12.497Å |
| Клык роста |
Czochralski |
| Твердость |
7,5 Mohs |
| Плотность |
³ 7.09g/cm |
| Точка плавления |
1730℃ |
| Коэффициент отражения |
1,954 на 1064nm |
Технический параметр
| Размер |
Maxψ76.2mm (3inch) |
| Толщина |
0.5mm/1mm |
| Полировать |
Встали на сторону одиночный или двойной, который |
| Ориентировка кристаллов |
±0.2° |
| Точность ориентации края |
2° (характерные требования могут достигнуть 1 ° внутри) |
| Косой обломок |
2° (согласно специфическим требованиям, кристалл с ориентацией края можно опрокинуть на специфическом угле (° угла наклона 1 - ° сорок пять)) |
| Шероховатость поверхности |
Ra≤1nm |
| Упаковка |
Сумка класса 100 чистая, классифицирует 1000 ультра статических комнат
|
|
