HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD
CO. ПРОМЫШЛЕННЫХ ПРОДУКТОВ ХЭНАНЯ ZG, LTD
Add to Cart
Вафля SOI (кремний на изоляторе)
Мы обеспечиваем высококачественную вафлю SOI (кремний на изоляторе) для разнообразие применения включая MEMS, прибор силы, датчики давления и интегральную схемау CMOS изготовление. Вафля SOI обеспечивает потенциальное решение для прибора потребления быстрого хода и низкой мощности и широко была подтвержена как новое решение для высокого напряжения и компонентов RF. Вафля SOI структура сэндвича включая слой прибора (активный слой) на верхней части, похороненный слой окиси (изолируя слой SiO2) в середине, и вафлю ручки (оптовый кремний) в дне. Вафли SOI произведены путем использование SIMOX и технологии вафли скрепляя для того чтобы достигнуть растворителя и точного слоя прибора и обеспечить требования единообразия толщины и низкой плотности дефекта. Мы можем обеспечить вафлю SOI в диаметре 4" и 8" с гибкой толщиной и широким рядом резистивности для того чтобы соотвествовать ваши уникальные SOI. Свяжитесь мы для более самых дальних информаций о продукте SOI.
Применение вафли SOI
| Высокоскоростные ICs | Высокотемпературные ICs |
| Маломощные ICs | Низшее напряжение ICs |
| Компоненты микроволны | Прибор силы |
| MEMS | Полупроводник |
Техническая характеристика изделия
| Метод | Выпуск облигаций сплавливания |
|---|---|
| Диаметр | Ø 4"/Ø 6"/Ø 8" |
| Толщина прибора | 2 um | 300 um |
| Допуск | +/- 0,5 um | 2 um |
| Ориентация | <100>/<111>/<110> или другие |
| Проводимость | P - тип/n - тип/внутреннеприсущее |
| Dopant | Бор/фосфористое/сурьма/мышьяк |
| Резистивность | 0,001 | 100000 ом-см |
| Толщина окиси | 500A | 4 um |
| Допуск | +/- 5% |
| Вафля ручки | >= 300 um |
| Поверхность | Двойные стороны отполировали |
| Покрытие | Окись и нитрид можно поставить с обеих сторон вафли SOI |
