HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD
CO. ПРОМЫШЛЕННЫХ ПРОДУКТОВ ХЭНАНЯ ZG, LTD
Add to Cart
Печь кремниевого карбида, затвор SiC, трубка SiC, шлюпки SiC
Мы ориентированное на экспорт предприятие которое интегрирует дизайн, развитие, продукцию и обслуживание. Должный к низким ценам труда и сильно умелому трудовому ресурсу & современному производственному объекту, мы можем изготовить изделия высокого качества на самых низких ценах и обеспечить значение для денег. Мы задушевно приветствуем всех друзей домой и за рубежом связаться мы, или путем устанавливать отношения дела или работать совместно для того чтобы получить взаимные выгоды.
Параметры
| Представление | БЛОК | HS-A | HS-P | HS-XA |
| Размер зерна | μm | 4-10 | 4-10 | 4-10 |
| Плотность | g/cm | ≥3.1 | 3.0-3.1 | >3,1 |
| Твердость (Knoop) | ² Kg/mm | 2800 | 2800 | 2800 |
| Flexural прочность 4 pt @ RT | MPa*m1/2 | 385 | 240 | 420 |
| *10 ² ³ 1b/in | 55 | 55 | 55 | |
| Удельная работа разрыва @ RT | Mpa | 3900 |
| 3900 |
| *10 ² ³ 1b/in | 560 | 560 | ||
| Модуль упругости @ RT | Gpa | 410 | 400 | 410 |
| *10 ² ³ 1b/in | 59 | 58 | 59 | |
| Модуль Weibull (параметр 2) |
| 8 | 19 | 12 |
| Коэффициент Poisson |
| 0,14 | 0,14 | 0,14 |
| Кручение двойника RT твердости трещиноватости @ & SENB | MPa*m1/2 | 8 | 8 | 8 |
| *1 ² ³ 1b/in в ½ | ||||
| Коэффициент теплового расширения RT к 700℃ | X10-6mm/mmK | 4,02 | 4,2 | 4,02 |
| X10-6 in/in°F | 2,2 | 2,3 | 2,2 | |
| Максимальная жара середины специфическая @ RT обслуживания Temp.Air | °C | 1900 | 1900 | 1900 |
| J/gmK | 0,67 | 0,59 | 0,67 | |
| Термальная проводимость @ RT | W/mK | 125,6 | 110 | 125,6 |
| H°F Btu/ft | 72,6 | 64 | 72,6 | |
| @200°C | W/mK | 102,6 |
| 102,6 |
| H°F Btu/ft | 59,3 | 59,3 | ||
| @400°C | W/mK | 77,5 |
| 77,5 |
| H°F Btu/ft | 44,8 | 44,8 | ||
| Проницаемость @ RT к 1000°C | 31MPa под никакой утечкой газа | |||
| Электрическая резистивность @ RT | Ом-см | 102-106 | N/A | 102-106 |
| Лучеиспускаемость |
| 0,9 | 0,9 | 0,9 |
Изображения
Применение:
Затвор SiC использован как держатель шлюпки вафли для процесса диффузии в полупроводнике, СИД, индустриях солнечной энергии.
Трубка SiC отростчатая использована в оборудовании печи диффузии в полупроводнике, СИД, индустриях солнечной энергии.
Шлюпка SiC использована как держатель вафли в процессе диффузии бора или фосфора и широко приложена в дискретной индустрии полупроводника.
Шлюпки вафли дракона SiC широко использованы как держатель вафли в высокотемпературных процессах диффузии.
Требования к особенности:
Высокотемпературная химическая стойкость
Главная высокотемпературная прочность
Сопротивление термального удара
Коррозионная устойчивость кислоты и алкалиа
Превосходная термальная проводимость
Почему улучшайте чем другие:
Подгонянные обслуживания
Стабилизированное качество и быстрая доставка