HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD
CO. ПРОМЫШЛЕННЫХ ПРОДУКТОВ ХЭНАНЯ ZG, LTD
Add to Cart
Блок кремниевого карбида (SiC)
Сопротивление ссадины сопротивления термального удара термальной проводимости блока кремниевого карбида хорошее хорошее хорошее
Должный к нашим большому размеру мощности и сильной отливая в форму способности для продукции изготовления на заказ, наша компания экспортировала наши продукты к много международных рынков. Наши продукты аттестованы согласно требованиям клиентов.
Мы продолжаемся innovate, улучшить, и увеличить так же, как интегрировать ресурсы внутренне и внешне усилить гибкость нашей компании и конкурентоспособность наших продуктов, и обеспечивают и старых и новых клиентов с самым лучшим обслуживанием.
Применение:
Меля процесс кремниевой пластины полупроводника
Меля процесс вафли сапфира СИД
Утончая процесс вафли СИД
Требования к особенности:
Хорошая термальная проводимость
Хорошее сопротивление термального удара
Хорошее сопротивление ссадины
| Представление | БЛОК | HS-A | HS-P | HS-XA |
| Размер зерна | μm | 4-10 | 4-10 | 4-10 |
| Плотность | g/cm | ≥3.1 | 3.0-3.1 | >3,1 |
| Твердость (Knoop) | ² Kg/mm | 2800 | 2800 | 2800 |
| Flexural прочность 4 pt @ RT | MPa*m1/2 | 385 | 240 | 420 |
| *10 ² ³ 1b/in | 55 | 55 | 55 | |
| Удельная работа разрыва @ RT | Mpa | 3900 | 3900 | |
| *10 ² ³ 1b/in | 560 | 560 | ||
| Модуль упругости @ RT | Gpa | 410 | 400 | 410 |
| *10 ² ³ 1b/in | 59 | 58 | 59 | |
| Модуль Weibull (параметр 2) | 8 | 19 | 12 | |
| Коэффициент Poisson | 0,14 | 0,14 | 0,14 | |
| Кручение двойника RT твердости трещиноватости @ & SENB | MPa*m1/2 | 8 | 8 | 8 |
| *1 ² ³ 1b/in в ½ | ||||
| Коэффициент теплового расширения RT к 700℃ | X10-6mm/mmK | 4,02 | 4,2 | 4,02 |
| X10-6 in/in°F | 2,2 | 2,3 | 2,2 | |
| Максимальная жара середины специфическая @ RT обслуживания Temp.Air | °C | 1900 | 1900 | 1900 |
| J/gmK | 0,67 | 0,59 | 0,67 | |
| Термальная проводимость @ RT | W/mK | 125,6 | 110 | 125,6 |
| H°F Btu/ft | 72,6 | 64 | 72,6 | |
| @200°C | W/mK | 102,6 | 102,6 | |
| H°F Btu/ft | 59,3 | 59,3 | ||
| @400°C | W/mK | 77,5 | 77,5 | |
| H°F Btu/ft | 44,8 | 44,8 | ||
| Проницаемость @ RT к 1000°C | 31MPa под никакой утечкой газа | |||
| Электрическая резистивность @ RT | Ом-см | 102-106 | N/A | 102-106 |
| Лучеиспускаемость | 0,9 | 0,9 | 0,9 | |
Почему улучшайте чем другие:
Доступный в различных спецификациях, также обеспечьте подгонянные обслуживания
Стабилизированное качество и быстрая доставка
Диаметр блока SiC от 120mm до 480mm в запасе
Сохраните время загрузки образца и процесс разгружать
Приемлемый более высокий утончая тариф
