Категории продукта

электронные интегральные схемаы

[305]

Модуль IGBT

[38]

GPS-модуль

[3]

Датчик ККД КМОС

[16]

модуль 3G

[3]

Модуль Кектел

[2]

модуль 2Г

[3]

Водитель ИГБТ

[7]

Реле ТЭ

[10]

Камера Сок ИП

[12]

модуль GSM gprs

[6]

Импульсный источник питания

[22]

Модуль LTE 4G

[7]

Охлаждающий вентилятор мотора

[8]

прототип pcb

[11]

PCB Ассамблеи

[9]

контакт

Shenzhen Hongxinwei Technology Co., Ltd

Город:shenzhen

Область/Штат:guangdong

Страна/регион:china

Контактное лицо:Mr段

контактная информация

контакт

China Низкий Mosfet 600V TO247-3 силы канала n наивысшей мощности Mosfet Igbt обязанности ворот wholesale

Низкий Mosfet 600V TO247-3 силы канала n наивысшей мощности Mosfet Igbt обязанности ворот

Name: Низкий Mosfet 600V TO2473 силы канала n наивысшей мощности Mosfet Igbt обязанности ворот
Brand: Infineon Technologies
Price: 1 USD

Спросите последнюю цену

Brand Name :Infineon Technologies

Model Number :SPW20N60C3

Certification :Rohs

Place of Origin :China

MOQ :240pcs

Price :Negotiation

Payment Terms :T/T

Supply Ability :7200PCS/1WEEK

Delivery Time :2-3days

Packaging Details :240pcs/box

Technology :Si

Mounting Style :Through Hole

Package / Case :TO-247-3

Number of Channels :1 Channel

Transistor Polarity :N-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage :600V

контакт

Add to Cart

Посмотреть описание продукта

Метки товара:

igbt gate voltage

mosfet igbt

igbt power module 100a 600v

Запрос Корзина 0