Категория :Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс) :50 a
Состояние продукта :Активный
Устанавливать тип :Держатель шасси
Пакет :Поднос
Серия :-
Пакет/случай :Модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic :2.3V @ 15V, 50A
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс) :1200 v
Пакет прибора поставщика :22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
Mfr :onsemi
Рабочая температура :-40°C | 150°C (TJ)
Настоящий - выключение сборника (Макс) :µA 200
Тип IGBT :Диафрагма поля зрения канавы
Сила - Макс :186 w
Входной сигнал :Стандарт
Входная емкость (Cies) @ Vce :9,075 нФ при 20 В
Конфигурация :2 независимый
Термистор NTC :Никакой
Низкопробный номер продукта :NXH100
Описание :МОДУЛЬ 1200V 50A 186W PIM22 IGBT
more