Категории продукта

Обломоки интегральной схемаы

[3000]

обломок ic флэш-памяти

[3000]

Интегральная схемаа TI

[168]

Интегральная схемаа ST

[234]

Интегральная схемаа Intel

[110]

Обломок NXP IC

[27]

Обломок ATMEL

[20]

Обломок IC транзистора

[3000]

Интегральная схемаа SMD

[2465]

Компьютер IC откалывает

[3000]

Конденсаторы электронных блоков

[20]

Материнская плата сервера

[31]

Жесткий диск SSD

[20]

устранимые поли перчатки

[1]

Модуль памяти

[20]

Дисплей SMG LCD

[20]

Дисплей Iphone LCD

[20]

дисплей lcd мобильного телефона

[20]

Повторно использовать электронные блоки

[1]

контакт

Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.

Город:shenzhen

Область/Штат:guangdong

Страна/регион:china

Контактное лицо:MrsCai

контактная информация

контакт

ВС-ГТ80ДА120У

Спросите последнюю цену

Категория :Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули

Настоящий - сборник (Ic) (Макс) :139 a

Статус продукта :Активный

Тип установки :Держатель шасси

Пакет :Насыщенные

Серия :HEXFRED®

Пакет / чемодан :SOT-227-4, miniBLOC

Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic :2.55V @ 15V, 80A

Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс) :1200 v

Пакет изделий поставщика :SOT-227

Мфр :Полупроводник Vishay общий - разделение диодов

Операционная температура :-40°C | 150°C (TJ)

Настоящий - выключение сборника (Макс) :µA 100

Тип IGBT :Канава

Сила - Макс :658 w

Ввод :Стандартный

Входная емкость (Cies) @ Vce :4,4 нФ при 25 В

Конфигурация :Одинокий

Термистор NTC :Нет, нет.

Номер базовой продукции :GT80

Описание :MOD 1200V 139A 658W SOT227 IGBT

контакт

Add to Cart

Посмотреть описание продукта

Канава одиночное 1200 v модуля IGBT держатель SOT-227 139 шасси a 658 w

Запрос Корзина 0