Категории продукта

Обломоки интегральной схемаы

[3000]

обломок ic флэш-памяти

[3000]

Интегральная схемаа TI

[168]

Интегральная схемаа ST

[234]

Интегральная схемаа Intel

[110]

Обломок NXP IC

[27]

Обломок ATMEL

[20]

Обломок IC транзистора

[3000]

Интегральная схемаа SMD

[2465]

Компьютер IC откалывает

[3000]

Конденсаторы электронных блоков

[20]

Материнская плата сервера

[31]

Жесткий диск SSD

[20]

устранимые поли перчатки

[1]

Модуль памяти

[20]

Дисплей SMG LCD

[20]

Дисплей Iphone LCD

[20]

дисплей lcd мобильного телефона

[20]

Повторно использовать электронные блоки

[1]

контакт

Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.

Город:shenzhen

Область/Штат:guangdong

Страна/регион:china

Контактное лицо:MrsCai

контактная информация

контакт

ФФ600Р12ИЕ4БОСА1

Спросите последнюю цену

Категория :Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули

Настоящий - сборник (Ic) (Макс) :600 a

Статус продукта :Активный

Тип установки :Держатель шасси

Пакет :Поднос

Серия :-

Пакет / чемодан :Модуль

Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic :2,05 В при 15 В, 600 А

Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс) :1200 v

Пакет изделий поставщика :Модуль

Мфр :Infineon Technologies

Операционная температура :-40°C | 150°C (TJ)

Настоящий - выключение сборника (Макс) :5 мам

Тип IGBT :Диафрагма поля зрения канавы

Сила - Макс :3350 Вт

Ввод :Стандартный

Входная емкость (Cies) @ Vce :37 nF @ 25 v

Конфигурация :половинный мост

Термистор NTC :Да, да.

Номер базовой продукции :ФФ600Р12

Описание :БТИЗ МОД 1200В 600А 3350Вт

контакт

Add to Cart

Посмотреть описание продукта

Мост 1200 v половины диафрагмы поля зрения канавы модуля IGBT модуль держателя 600 шасси a 3350 w

Запрос Корзина 0