Компоненты IC технологий НИ флэш-памяти AT45DB641E AT45DB641E-SHN2B-T AT45DB641E-MHN2B-T Adesto

Компоненты IC технологий НИ флэш-памяти AT45DB641E-SHN2B-T Adesto

Флэш-память IC 64Mb AT45DB641E-SHN2B-T IC (256 страниц) SPI 85 MHz 8-SOIC байт x 32K

64-Mbit DataFlash (с дополнительным 2-Mbits), флэш-память 1.7V минимальная SPI серийная

ВСПЫШКА 64MBIT SPI 85MHZ 8UDFN AT45DB641E-MHN2B-T IC

НИ вспышка 64 Mbit, широко Vcc (1.7V к 3.6V), -40C к 85C, режиму страницы 512 байт бинарному, DFN 5x6 (лента & вьюрок), одиночному SPI DataFlash

Описание AT45DB641E:

AT45DB641E минимум 1.7V, флэш-память последовательного доступа сериал-интерфейса идеально одетая для большого разнообразия цифрового голоса, изображение, код программы, и применения хранения данных. AT45DB641E также поддерживает последовательный интерфейс речных порогов для применений требуя очень высокоскоростной деятельности. Свои 69 206 016 битов памяти организованы как 32 768 страниц 256 байт или 264 байт каждого. В дополнение к главной памяти, AT45DB641E также содержит 2 буфера SRAM 256/264 байт каждого. Интерливинг между обоими буферами может драматически увеличить способность системы написать поток непрерывных данных. К тому же, буфера SRAM можно использовать как дополнительная память пусковой площадки царапины системы, и эмулирование E2PROM (alterability бита или байта) можно легко обращаться со сдержанные 3 шаг чтени-дорабатывать-пишет деятельность. Не похож на обычные флэш-памяти которые получать доступ к случайно со множественными линиями адреса и параллельным интерфейсом, DataFlash® использует последовательный интерфейс последовательного для получения доступа к своих данных. Простой последовательный доступ драматически уменьшает активный отсчет штыря, облегчает упрощенный план оборудования, увеличивает надежность системы, уменьшает переключая шум, и уменьшает размер пакета. Прибор оптимизирован для пользы в много коммерчески и промышленных применений где высокая плотность, отсчет низко-штыря, низшее напряжение, и маломощное необходимы. Для того чтобы учитывать простую re-программируемость в-системы, AT45DB641E не требует высоких вводов напряжения для программирования. Прибор работает от одиночного 1.7V к электропитанию 3.6V для стирания и программы и прочитал деятельность. AT45DB641E позволено через штырь обломока отборный (CS) и получать доступ к через интерфейс 3 проводов состоя из серийного входного сигнала (SI), серийного выхода (ТАК), и серийных часов

Особенности:

Одиночное 1.7V - поставка 3.6V

Серийное периферийное  интерфейса (SPI) совместимое поддерживает режимы 0 и 3 SPI

Деятельность RapidS™ поддержек

Непрерывная прочитанная возможность через весь массив

До варианта  85MHz маломощного прочитанного до 15MHz

время Час-к-выхода (ТВ) максимума 8ns

Размер страницы потребителя конфигурируемый

256 байт в страницу

264 байта согласно со страница (дефолт)

Размер страницы может быть фабрикой предварительно настроенной для 256 байт

2 полно - независимых буфера данным по SRAM (256/264 байты)

Allows получая данные пока перепрограммирующ массив главной памяти

Гибкие программируя варианты

Байт/программа страницы (1 до 256/264 байт) сразу в главную память

Буфер пишет | Буфер к программе страницы главной памяти

Гибкое стирание страницы  вариантов стирания (256/264 байты)

Стирание обломока  стирания участка  стирания блока (2KB) (256KB) (64-Mbits)

Программа и стирание приостанавливают/резюме

Предварительные особенности защиты данных оборудования и программного обеспечения

Lockdown участка индивидуального  предохранения от участка индивидуальный для того чтобы сделать любой участок постоянно доступный только для чтения

128-byte, бывший Programmable регистр безопасностью (OTP)

фабрика 64 байт запрограммированная с уникальным идентификатором

оборудование и программное обеспечение  потребителя 64 байт programmable контролировали переустановленные варианты

ID изготовителя и прибора JEDEC стандартный прочитал

Маломощная диссипация

Ультра-глубокое течение силы-Вниз 400nA (типичное)

глубокое течение силы-Вниз 5µA (типичное)

резервные настоящие 25µA (типичный)

7mA активное прочитало настоящее (типичный)

Выносливость: 100 000 циклов программы/стирания в минимум страницы

Удерживание данных: 20 лет

Исполняет с полностью промышленным диапазоном температур

Варианты зеленого цвета (Pb/Halide-free/RoHS уступчивого) упаковывая

 8-pad ультратонкое DFN 8-lead SOIC (0,208" широко) (5 x 6 x 0.6mm)

8-pad Очень-тонкое DFN (6 x 8 x 1.0mm)

dBGA 44-ball (6 x 8 доработанный массив шарика)

Технологии Adesto НИ спецификация IC интегральной схемаы флэш-памяти:

Подобные технологии IC Adesto интегральной схемаы ПОЛУПРОВОДНИКА ДИАЛОГА:

AT45DB641E, AT45DB641E-SHN2B-T, AT45DB641E-MHN2B-T, AT45DB641E-MWHN2B-T, AT45DB641E-UUN2B-T, AT45DB641E-SHN-B, AT45DB641E-SHN-T, AT45DB641E-MHN-Y, AT45DB641E-MHN-T, AT45DB641E-MWHN-Y, AT45DB641E-MWHN-T, AT45DB641E-UUN-T, AT45DB641E-DWF, НА 45DB641E-SHN2B-B

Более популярные части IC интегральной схемаы нумеруют: