
Add to Cart
IRFB7440PBF 40 В 120 A IRFB4310PBF 100 В 130 A IRFB4115PBF 150 В 104 A Транзисторы TO-220AB HEXFET FET МОП-транзисторы
Транзисторы N-Channel 180A 200W Through Hole TO-220AB HEXFET FETs MOSFET
---ИРФБ7440ПБФ 40В 120А ИРФБ4310ПБФ 100В 130А ИРФБ4115ПБФ 150В 104А
Описание:
В этом силовом МОП-транзисторе HEXFET® используются новейшие технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления в открытом состоянии на единицу площади кремния.
Дополнительными характеристиками этого продукта являются рабочая температура перехода 175°C, высокая скорость переключения и повышенная устойчивость к повторяющимся лавинам.В совокупности эти функции делают эту конструкцию чрезвычайно эффективным и надежным устройством для использования в самых разных приложениях.
N-Channel 180A (Tc) 200W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB Спецификация:
Категория
|
Дискретные полупроводниковые продукты
|
Транзисторы - FET, MOSFET - Single
|
|
производитель
|
Инфинеон Технологии
|
Ряд
|
HEXFET®
|
Упаковка
|
Трубка
|
Тип полевого транзистора
|
N-канал
|
Технологии
|
МОП-транзистор (оксид металла)
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
40 В
|
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
|
180А (Тс)
|
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)
|
10В
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
3,7 мОм при 75 А, 10 В
|
Vgs(th) (макс.) @ Id
|
4 В при 250 мкА
|
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
|
150 нКл при 10 В
|
VGS (макс.)
|
±20В
|
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
|
4340 пФ при 25 В
|
Полевой транзистор
|
-
|
Рассеиваемая мощность (макс.)
|
200 Вт (Тс)
|
Рабочая Температура
|
-55°C ~ 175°C (ТДж)
|
Тип крепления
|
Через отверстие
|
Пакет устройств поставщика
|
ТО-220АБ
|
Пакет/кейс
|
ТО-220-3
|
Базовый номер продукта
|
IRF1404
|
АТРИБУТ | ОПИСАНИЕ |
---|---|
Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (неограниченно) |
ДОСТИЖЕНИЕ Статус | REACH Не затронуто |
ECCN | EAR99 |
ХТСУС | 8541.29.0095 |