Angel Technology Electronics Co

Shenzhen Angel Technology Electronics Co. Дистрибьютор электронных компонентов и производитель PCBA

Manufacturer from China
Проверенные Поставщика
4 лет
Главная / продукты / Discrete Semiconductors /

IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Power Mosfet IRFB7440PBF 40V 120A

контакт
Angel Technology Electronics Co
Посетите вебсайт
Город:shenzhen
Область/Штат:hongkong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrsSophia
контакт

IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Power Mosfet IRFB7440PBF 40V 120A

Спросите последнюю цену
Номер модели :IRFB7440PBF IRFB4310PBF IRFB4115PBF
Место происхождения :Китай
Количество минимального заказа :10pieces
Условия оплаты :T/T, западное соединение
Способность поставки :500000PCS
Срок поставки :2-15days
Упаковывая детали :стандартный пакет
Семья :Дискретные полупроводниковые продукты
Категория :Электронные компоненты-MOSFET (оксид металла)
Серия :HEXFET MOSFET (оксид металла)
Низкопробный номер детали :ИРФБ4
Детали :N-Channel 180A (Tc) 200W (Tc) Сквозное отверстие TO-220AB
Тип :Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Описание :Транзисторы MOSFET N-CH TO220AB
Пакет :ТО220
Устанавливать тип :Через отверстие
Запасы :В наличии
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

IRFB7440PBF 40 В 120 A IRFB4310PBF 100 В 130 A IRFB4115PBF 150 В 104 A Транзисторы TO-220AB HEXFET FET МОП-транзисторы

Транзисторы N-Channel 180A 200W Through Hole TO-220AB HEXFET FETs MOSFET

---ИРФБ7440ПБФ 40В 120А ИРФБ4310ПБФ 100В 130А ИРФБ4115ПБФ 150В 104А

Описание:
В этом силовом МОП-транзисторе HEXFET® используются новейшие технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления в открытом состоянии на единицу площади кремния.
Дополнительными характеристиками этого продукта являются рабочая температура перехода 175°C, высокая скорость переключения и повышенная устойчивость к повторяющимся лавинам.В совокупности эти функции делают эту конструкцию чрезвычайно эффективным и надежным устройством для использования в самых разных приложениях.

N-Channel 180A (Tc) 200W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB Спецификация:

Категория
Дискретные полупроводниковые продукты
 
Транзисторы - FET, MOSFET - Single
производитель
Инфинеон Технологии
Ряд
HEXFET®
Упаковка
Трубка
Тип полевого транзистора
N-канал
Технологии
МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение сток-исток (Vdss)
40 В
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
180А (Тс)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)
10В
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3,7 мОм при 75 А, 10 В
Vgs(th) (макс.) @ Id
4 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
150 нКл при 10 В
VGS (макс.)
±20В
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
4340 пФ при 25 В
Полевой транзистор
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
200 Вт (Тс)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (ТДж)
Тип крепления
Через отверстие
Пакет устройств поставщика
ТО-220АБ
Пакет/кейс
ТО-220-3
Базовый номер продукта
IRF1404


Экологические и экспортные классификации
АТРИБУТ ОПИСАНИЕ
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (неограниченно)
ДОСТИЖЕНИЕ Статус REACH Не затронуто
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095



IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Power Mosfet IRFB7440PBF 40V 120A

Запрос Корзина 0