ЭМС Еэлектро-Ммагнитный Ссовместимость
4. Распиновка
| |
ШТЫРЬ |
|
СОИК-8 ЦСОП-16
Аналоговый/последовательный протокол ШИМ Аналоговый/последовательный протокол ШИМ
|
1 VDD VDD VDIG1 ВДИГ1
2 Тест 0 Тест 0 ВСС1 (Земля1) ВСС1 (Земля1)
3 Переключатель OUT/SS VDD1 ВДД1
4 Не используется / ВЫХ 2 (2) SCLK-тест 01 Тест 01
5 OUT Переключатель MOSI/MISO OUT2 /SS2
6 Тест 1 Тест 1 Не используется2 СКЛК2
7 VDIG VDIG OUT2 MOSI2 / МИСО2
8 VSS (земля) VSS (земля) Тест 12 Тест 12
9 ВДИГ2 ВДИГ2
10 ВСС2 (Земля2) ВСС2 (Земля2)
11 ВДД2 ВДД2
12 Тест 02 Тест 02
13 ВЫКЛЮЧИТЬ1 /SS1
14 Не используется1 СКЛК1
15 ВЫХ1 МОСИ1 / МИСО1
16 Тест 11 Тест 11
Для оптимального поведения ЭМС рекомендуется соединить неиспользуемые контакты (неиспользуемые и тестовые) с землей.
5. Абсолютные максимальные рейтинги
Значение параметра
Напряжение питания, VDD (перенапряжение) + 20 В
Защита от обратного напряжения - 10 В
Положительное выходное напряжение — стандартная версия + 10 В
(аналоговый или ШИМ) + 14 В (макс. 200 с – TА = + 25 град.С)
Положительное выходное напряжение — версия SPI VDD + 0,3 В
| Положительное выходное напряжение (переключатель) |
|
+ 10 В
+ 14 В (макс. 200 с – TА = + 25 град.С)
|
Выходной ток (IOUT) ± 30 мА
Обратное выходное напряжение — 0,3 В
Обратный выходной ток - 50 мА
Диапазон рабочих температур окружающей среды, TА - 40 град.С … + 150 град.С
Диапазон температур хранения, TС - 40 град.С … + 150 град.С
Плотность магнитного потока ± 700 мТл
Превышение абсолютных максимальных значений может привести к необратимому повреждению.Воздействие абсолютного максимума-
Номинальные условия в течение длительного времени могут повлиять на надежность устройства.
| (диагностика поломки гусеницы) (7) |
|
БВССПУ |
|
Сломанный ВСС (8) &
Подтягивающая нагрузка Rл ≥ 1 кОм
|
|
99 100 %ВДД |
| |
БВДДПД |
|
Сломанный VDD (8) &
Тяговая нагрузка Rл ≥ 1 кОм
|
|
0 1 %ВДД |
| |
БВДДПУ |
|
Сломанный VDD и
Подтягивающая нагрузка до 5 В
|
|
Нет сломанной дорожки
диагностика %VDD
|
| Фиксированный выходной уровень (9) |
|
Clamp_lo Программируемый 0 100 %VDD
Clamp_hi Программируемый 0 100 %VDD
|
| Выключить (10) |
|
Sw_lo Подтягивающая нагрузка от 1,5 кОм до 5 В 0,55 1,1 В
Sw_hi Подтягивающая нагрузка от 1,5 кОм до 5 В 3,65 4,35 В
|
|
7. Спецификация изоляции
Рабочие параметры постоянного тока при VDD = 5 В (если не указано иное) и для TА как указано
Суффикс температуры (S, E, K или L).Действительно только для кода упаковки GO, т.е. версии с двумя кристаллами.
Параметр Обозначение Условия испытаний Мин. Тип. Макс. Единицы измерения
Сопротивление изоляции между кристаллами 4 МОм
8. Спецификация времени
Рабочие параметры постоянного тока при VDD = 5 В (если не указано иное) и для TА как указано
Суффикс температуры (S, E, K или L).
Параметр Обозначение Условия испытаний Мин. Тип. Макс. Единицы измерения
| Основная тактовая частота Ck |
|
Медленный режим (11)
Быстрый режим (11)
|
|
7
20
|
|
МГц
МГц
|
| Частота выборки |
|
Медленный режим (11)
Быстрый режим (11)
|
|
600
200
|
|
мкс
мкс
|
|
| Время отклика на шаг Ts |
|
Медленный режим (11), Фильтр = 5 (12)
Быстрый режим (11), Фильтр = 0 (12) 400
|
|
4
600
|
|
РС
мкс
|
|
| |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Сторожевой таймер Wd См. раздел 14 5 мс
Цикл запуска Tsu Медленный и быстрый режим (11) 15 мс
| Скорость нарастания аналогового выхода |
|
СВНЕ = 42 нФ
СВНЕ = 100 нФ
|
|
200
100
|
|
В/мс
В/мс
|
Частота ШИМ FШИМ Выход PWM включен 100 1000 Гц
| Время нарастания цифрового выхода |
|
Режим 5 – 10 нФ, Rл = 10 кОм
Режим 7 – 10 нФ, Rл = 10 кОм
|
|
120
2.2
|
|
мкс
мкс
|
| Время спада цифрового выхода |
|
Режим 5 – 10 нФ, Rл = 10 кОм
Режим 7 – 10 нФ, Rл = 10 кОм
|
|
1,8
1,9
|
|
мкс
мкс
|
