
Add to Cart
Электронные блоки IC TSOP48 интегральных схема ВСПЫШКИ НИ памяти микрона M29DW323 M29DW323DT70N6E
- Флэш-память поставки 3V M29DW323DT M29DW323DB 32 Mbit (4Mb x8 или 2Mb x16, двойного 8:24 банка, блока ботинка)
M29DW323D память 32 Mbit (4Mb x8 или 2Mb x16) слаболетучая которую можно прочитать, стереть и перепрограммировать. Эту деятельность можно выполнить используя одиночную поставку низшего напряжения (2,7 к 3.6V). На включении питания дефолты памяти к своему режиму считывания. Прибор отличает несимметричной архитектурой блока. M29DW323D имеет массив 8 63 основных блоков параметра и и разделено в 2 банка, a и b, предусматривая двойную деятельность банка. Пока программирующ или стирающ в банке a, прочитайте деятельность возможна в банке b и наоборот. Только один банк одновременно позволен находиться в программе или режиме стирания.
M29DW323D имеет дополнительные 32 KWord (режим x16) или блоку 64 кбайтов (режима x8), выдвинутому блоку, этому можно получать доступ к используя преданную команду. Выдвинутый блок можно защитить и поэтому полезен для хранить информация о безопасности.
Однако защиту необратима, раз защищала защиту нельзя расстегнуть
. Каждый блок можно стереть независимо поэтому возможно сохранить действительные данные пока старые данные стерты.
Блоки можно защитить для предотвращения случайных команд программы или стирания от дорабатывать память.
Команды программы и стирания написаны в интерфейс команды памяти.
Регулятор программы/стирания на-обломока упрощает процесс программирования или стирать памяти путем позаботиться обо все особые операции которые необходимо, что уточняют содержание памяти.
Конец деятельности программы или стирания можно обнаружить и все условия ошибки определили.
Набор команды необходим, что проконтролировал память последователен со стандартами JEDEC.
Обломок позволить, вывести наружу позволяет и пишет разрешающие сигналы контролировать деятельность автобуса памяти.
Они позволяют простому соединению с большинств микропроцессорами, часто без дополнительной логики.
Память предложена в (тангаж 6x8mm, 0.8mm) пакетах TSOP48 (12x20mm), и TFBGA48.
СВОДКА ОСОБЕННОСТЕЙ:
ПОДАЧА НАПРЯЖЕНИЯ
– VCC = 2.7V к 3.6V для программы, стирания и чтения
– VPP =12V для быстрой программы (опционной)
ВРЕМЯ ВЫБОРКИ : 70ns
ВРЕМЯ ПРОГРАММИРУЯ
– 10µs в байт/слово типичные
– Программа байта двойного слова четырехшпиндельная
БЛОКИ ПАМЯТИ
– Двойной массив группы блоков памяти: 8Mbit+24Mbit
– Параметр преграждает (верхнее или нижнее положение)
УДВАИВАЕТ ДЕЯТЕЛЬНОСТЬ
– Прочитайте в одном банке пока программа или стирание в другом
СТИРАЕТ для того чтобы ПРИОСТАНАВЛИВАТЬ и ВОЗОБНОВИТЬ РЕЖИМЫ
– Чтение и программа другой блок во время стирания приостанавливает
ОТКРЫВАЕТ КОМАНДУ ПРОГРАММЫ ОБХОДА
– Более быстрое программирование продукции/серии
PIN VPP/WP для БЫСТРОЙ ПРОГРАММЫ и ЗАЩИТИТЬ от записи
РЕЖИМ БЛОКА UNPROTECTION ВРЕМЕННЫЙ
Код защиты ИНТЕРФЕЙСА 64 ОБЩИЕ ВНЕЗАПНЫЕ сдержанный
БЛОК ВЫДВИНУТОЙ ПАМЯТИ
– Дополнительный блок используемый как блок безопасностью или хранить дополнительная информация
Положение боевой готовности ПОТРЕБЛЕНИЯ НИЗКОЙ МОЩНОСТИ и автоматическое положение боевой готовности
ЦИКЛЫ 100 000 PROGRAM/ERASE в БЛОК
ПОДПИСЬ ЭЛЕКТРОННАЯ
– Код изготовителя: 0020h
– Верхний код прибора M29DW323DT: 225Eh
– Нижний код прибора M29DW323DB: 225Fh
Спецификация ПАРАЛЛЕЛИ 48TSOP-M29DW323DT70N6E ВСПЫШКИ 32MBIT IC:
Catetory | Электронные блоки |
SubCategory
|
Интегральные схемаы (ICs)
|
Серия
|
Память
|
Mfr
|
Микрон Технология Inc.
|
Пакет
|
Поднос
|
Состояние части
|
Устарелый
|
Тип памяти
|
Слаболетучий
|
Формат памяти
|
ВСПЫШКА
|
Технология
|
ВСПЫШКА - НИ
|
Размер запоминающего устройства
|
32Mb (4M x 8, 2M x 16)
|
Интерфейс памяти
|
Параллельный
|
Напишите время цикла - слово, страницу
|
70ns
|
Время выборки
|
70 ns
|
Напряжение тока - поставка
|
2.7V | 3.6V
|
Рабочая температура
|
-40°C | 85°C (ЖИВОТИКИ)
|
Устанавливать тип
|
Поверхностный держатель
|
Пакет/случай
|
48-TFSOP (0,724", ширина 18.40mm)
|
Пакет прибора поставщика
|
48-TSOP
|
Низкопробный номер продукта
|
M29DW323
|
Номера родственного продукта:
Часть Mfr # | Технология | Размер запоминающего устройства | Пакет прибора |
M29DW323DB70N6F TR | ВСПЫШКА - НИ | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
M29DW323DT70N6F TR | ВСПЫШКА - НИ | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
M29DW323DB5AN6F TR | ВСПЫШКА - НИ | 256Mb (16M x 16) | 48-TSOP |
M29DW323DB70N3E | ВСПЫШКА - НИ | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
M29DW323DB70N6E | ВСПЫШКА - НИ | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
M29DW323DB70ZE6E | ВСПЫШКА - НИ | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TFBGA (6x8) |
M29DW323DB70ZE6F TR | ВСПЫШКА - НИ | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TFBGA (6x8) |
M29DW323DB7AN6F TR | ВСПЫШКА - НИ | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
M29DW323DT70ZE6F TR | ВСПЫШКА - НИ | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TFBGA (6x8) |
M29DW323DT70ZE6E | ВСПЫШКА - НИ | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TFBGA (6x8) |
M29DW323DT70N6E | ВСПЫШКА - НИ | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
M29DW323DB70N6E | ВСПЫШКА - НИ | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
M29DW323DB70N6 | ВСПЫШКА - НИ | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
Упорядочение информации:
О технологии микрона
Микрон делает новаторские решения памяти и хранения которые помогают управлять сегодняшний большинств значительными и разрушительными прорывами технологии, как искусственный интеллект, интернет вещей, само-управляя автомобилями, персонализированное медицин-ровное космическое исследование. Путем pioneering быстрый и больше эффективных способов собрать, сохранить и управить данные, они помогают революционизировать и улучшить путь мир связывает, учит и выдвигается.
Категории продукта технологии микрона:
Интегральные схемаы (ICs)
Карты памяти, модули
Оптическая электроника
Изображение для ссылки:
Классификации экологических & экспорта
АТРИБУТ | ОПИСАНИЕ |
---|---|
Состояние RoHS | ROHS3 уступчивое |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 3 (168 часов) |
Состояние ДОСТИГАЕМОСТИ | ДОСТИГНИТЕ без изменений |
ECCN | 3A991B1A |
HTSUS | 8542.32.0071 |
Номер детали IC интегральных схема замен:
S29JL032J70TFI010/S29JL032J70TFI310
Мы продаем портфолио индустрии самое широкое памяти и технологий памяти: ДРАХМА, NAND, и НИ память ic. С близкими партнерствами индустрии и экспертизой решений памяти, наша уникальная проницательность дает нам способность обратиться к вашим самым трудным потребностям.
Родственная параллель НИ внезапный каталог деталей интегральной схемаы:
MT28EW128ABA1HJS-0SIT |
MT28EW128ABA1HPC-0SIT |
MT28EW128ABA1HPN-0SIT |
MT28EW128ABA1LJS-0SIT |
MT28EW128ABA1LPC-0SIT |
MT28EW128ABA1LPN-0SIT |