Функциональное описание
АС4К1М16Ф5 высокая эффективность оперативное запоминающее устройство (DRAM) КМОС 16 мегабитов динамическое организованное как
1 048 576 битов × 16 слов. АС4К1М16Ф5 изготовлено используя предварительную технологию КМОС и новаторский дизайн
методы приводящ в быстром ходе, весьма - низкая мощность и широкие пределы рабочих параметров на компоненте и системных уровнях.
Оптимизируют семью ДРАХМЫ союзничества 16Мб для пользы как главная память в личных и портативных ПК, рабочих местах, и мультимедиа
и применения переключателя маршрутизатора.
АС4К1М16Ф5 отличает высокоскоростной деятельностью режима страницы где прочитанный и напишите деятельность внутри одиночная строка (или страница)
можно исполнить на очень высокоскоростном (15 нс от СКАС) путем тоглинг адреса столбца внутри эта строка. Строка и столбец
адреса друг заперты на задвижку в буфера входного сигнала используя падая край РАС и входных сигналов ксКАС соответственно. Также, РАС использовано
сделать защелку адреса столбца прозрачным, включающ применение адресов столбца до утверждения ксКАС.
АС4К1М16Ф5 обеспечивает двойные УКАС и ЛКАС для независимого управления байта прочитанный и доступ для записи.
Освежите на 1024 сочетаниях из адреса А0 к А9 необходимо выполнить каждое использование 16 госпож:
•
только для РАС освежите: РАС утвержено пока ксКАС, который держат максимум. Каждая из 1024 строк необходимо стробед. Выходы остаются высокоимпедансными.
• Спрятанный освежите:
ксКАС, который держат низкий уровень пока РАС тоглед. Выходы остаются низким импедансом с предыдущими действительными данными.
•
КАС-перед-РАС освежите (CBR): По крайней мере одно ксКАС утвержено до РАС. Освежите адрес производит внутренне.
Выходы высоко--импеденсе (
ОЭ и МЫ не делаем забота).
• Нормальный прочитал или пишет циклы освежает будучи получать доступ строку.
АС4К1М16Ф5 доступно в СОДЖ пластмассы штыря стандарта 42 и пакетах 44/50-пин ТСОП ИИ, соответственно. Оно работает
с одиночным электропитанием 5В ± 0.5В. Прибор обеспечивает входы и выходы ТТЛ совместимые.
