
Add to Cart
Канал изолированный ТОШИБА ворот ГТ20ДЖ101 двухполярный транзистора кремния н ИГБТ
Применения переключения наивысшей мощности
• 3-ее поколение • Повышени-режим
• Быстрый ход: тф = 0,30 µс (максимального)
• Низкое напряжение тока сатурации: (Сидеть) ВКЭ = 2,7 в (максимального)
Характерный | Символ | Классифицировать | Блок |
Напряжение тока коллектор- эмиттера | ВКЭС | 600 | В |
напряжение тока Ворот-излучателя | ВГЭС | +-20 | В |
ДК течения сборника | ИК | 20 | А |
Госпожа течения сборника 1 | ИКП | 40 | А |
Диссипация силы сборника (Тк = 25°К) | ПК | 130 | В |
Температура соединения | Тдж | 150 | °К |
Диапазон температур хранения | Цтг | −55~150 | °К |
Ко лтд текнологы электроники гастронома
www.icmemorychip.com
Электронная почта: sales@deli-ic.com
Скыпе: хксунны3
ТЕЛЕФОН: 86-755-82539981