CO. ТЕХНОЛОГИИ ЭЛЕКТРОНИКИ ГАСТРОНОМА, LTD

Electronic Component Warehouse!

Manufacturer from China
Активный участник
8 лет
Главная / продукты / NPN PNP Transistors /

Канал н кремния транзистора ворот тиристора ГТ20ДЖ101 изолированный модулем двухполярный

контакт
CO. ТЕХНОЛОГИИ ЭЛЕКТРОНИКИ ГАСТРОНОМА, LTD
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrsVIVI
контакт

Канал н кремния транзистора ворот тиристора ГТ20ДЖ101 изолированный модулем двухполярный

Спросите последнюю цену
Номер модели :GT20J101
Место происхождения :Китай
Количество минимального заказа :10 шт
Термины компенсации :Т/Т, западное соединение, ЭСКРОВ
Способность поставкы :10000PCS
Срок поставки :Фондовой
Упаковывая детали :Трубки
VCES :600В
VGES :+-20
ИК :20А
ICP :40А
ПК :130В
ТДЖ :150°К
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Канал изолированный ТОШИБА ворот ГТ20ДЖ101 двухполярный транзистора кремния н ИГБТ

 

Применения переключения наивысшей мощности

 

• 3-ее поколение • Повышени-режим

• Быстрый ход: тф = 0,30 µс (максимального)

• Низкое напряжение тока сатурации: (Сидеть) ВКЭ = 2,7 в (максимального)

 

 

Характерный Символ Классифицировать Блок
Напряжение тока коллектор- эмиттера ВКЭС 600 В
напряжение тока Ворот-излучателя ВГЭС +-20 В
ДК течения сборника ИК 20 А
Госпожа течения сборника 1 ИКП 40 А
Диссипация силы сборника (Тк = 25°К) ПК 130 В
Температура соединения Тдж 150 °К
Диапазон температур хранения Цтг −55~150 °К

 

 

Канал н кремния транзистора ворот тиристора ГТ20ДЖ101 изолированный модулем двухполярный

 

Ко лтд текнологы электроники гастронома
www.icmemorychip.com
Электронная почта: sales@deli-ic.com
Скыпе: хксунны3
ТЕЛЕФОН: 86-755-82539981

 

 

 

 

Запрос Корзина 0