CO. ТЕХНОЛОГИИ ЭЛЕКТРОНИКИ ГАСТРОНОМА, LTD

Electronic Component Warehouse!

Manufacturer from China
Активный участник
7 лет
Главная / продукты / NPN PNP Transistors /

Транзистор 38В Тк Нпн канала ФДПФ10Н60НЗН двухполярный через отверстие К 220Ф

контакт
CO. ТЕХНОЛОГИИ ЭЛЕКТРОНИКИ ГАСТРОНОМА, LTD
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrsVIVI
контакт

Транзистор 38В Тк Нпн канала ФДПФ10Н60НЗН двухполярный через отверстие К 220Ф

Спросите последнюю цену
Номер модели :FDPF10N60NZ
Место происхождения :Китай
Количество минимального заказа :10 шт
Термины компенсации :Т/Т, западное соединение, ЭСКРОВ
Способность поставкы :10000PCS
Срок поставки :Фондовой
Упаковывая детали :Трубки
Категория :MOSFET СИЛЫ
Максимальное напряжение тока источника стока (в) :600v
Максимальное напряжение тока источника ворот (в) :±25В
Максимальное напряжение тока порога ворот (в) :5V
Максимальное непрерывное течение стока (а) :10А
Максимальное течение утечки источника ворот (нА) :10000НА
Максимальное сопротивление источника стока (мОхм) :750@10V
Типичная обязанность @ Вгс ворот (нК) :23@10V
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Н-канал 600В 10А транзисторов ФДПФ10Н60НЗ НПН ПНП (Тк) 38В (Тк) до отверстие ТО-220Ф

 

МОСФЭТ 600В Н-канала, 10А, 0,75
Особенности
 
•РДС (дальше) = 0,64  (тип.) @ ВГС = 10В, ИД = 5А
• Низкая обязанность ворот (тип. 23нК)
• Низкое Крсс (тип. 10пФ)
• Быстрое переключение
• Испытанная лавина 100%
• Улучшенная возможность дв/дт
• Возможность улучшенная ЭСД
• РоХС уступчивое
 

 

Описание
 
Эти влияние поля силы режима повышения Н-канала
транзисторы произведены используя пропритары Фэйрчайлда, плоскостный
нашивка, технология ДМОС.
Эта передовая технология особенно была портняжничана для того чтобы уменьшить
сопротивление на-государства, обеспечивает главное переключение
представление, и ИМП ульс высокой энергии витхстанд в лавине
и режим коммутирования. Эти приборы хорошо подойдут для максимума
эффективные переключенные электропитания режима и фактор активной силы
коррекция

 

ЕС РоХС
Уступчивый с освобождением
ЭККН (США) ЭАР99
Категория продукта МОСФЭТ силы
Конфигурация Одиночный
Технологический прочесс УниФЭТ ИИ
Режим канала Повышение
Тип канала Н
Количество элементов в обломок 1
Максимальное напряжение тока источника стока (в) 600
Максимальное напряжение тока источника ворот (в) ±25
Максимальное напряжение тока порога ворот (в) 5
Максимальное непрерывное течение стока (а) 10
Максимальное течение утечки источника ворот (нА) 10000
Максимум ИДСС (уА) 1
Максимальное сопротивление источника стока (мОхм) 750@10V
Типичная обязанность @ Вгс ворот (нК) 23@10V
Типичная обязанность @ 10В ворот (нК) 23
Типичная входная емкость @ Вдс (пФ) 1110@25V
Максимальная диссипация силы (мВ) 38000
Типичное время падения (нс) 50
Типичное время восхода (нс) 50
Типичное время задержки поворота- (нс) 70
Типичное турн-Он время задержки (нс) 25
Минимальная рабочая температура (°К) -55
Максимальная рабочая температура (°К) 150
Упаковка Трубка
Пакет поставщика ТО-220ФП
Имя стандартного пакета ТО-220
Отсчет Пин 3
Устанавливать Через отверстие
Высота пакета 15,87
Длина пакета 10,16
Ширина пакета 4,7
Измененный ПКБ 3
Плата Плата
Форма руководства Через отверстие

 

 

 

Транзистор 38В Тк Нпн канала ФДПФ10Н60НЗН двухполярный через отверстие К 220Ф

 

 

Ко лтд текнологы электроники гастронома
www.icmemorychip.com
Электронная почта: sales@deli-ic.com
Скыпе: хксунны3
ТЕЛЕФОН: 86-0755-82539981

 

Запрос Корзина 0