Категории продукта

Аналоговые устройства откалывают

[70]

Интегральные схемаы сентенции

[110]

контакт

HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED

Посетите вебсайт

Город:shenzhen

Страна/регион:china

Контактное лицо:Mrkezhiwei

контактная информация

контакт

China IPD320N20N3G Ic интегральная схема TO-252 wholesale

IPD320N20N3G Ic интегральная схема TO-252

Спросите последнюю цену

Видеоканал

Номер модели :IPD320N20N3G

Место происхождения :Оригинал

Количество минимального заказа :1PCS

Условия оплаты :D/A, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram

Способность поставки :97830pcs

Срок поставки :3

Упаковывая детали :4000

Запас :8000+

качество :Совершенно новое неиспользованное

Пакет/коробка :TO-252

контакт

Add to Cart

Посмотреть описание продукта

ISO9001.pdf

Применение: IPD320N20N3G - это N-канальный MOSFET-транзистор, используемый для высокоэффективных преобразователей постоянного тока и инверторов.с низким сопротивлением проводимости и высокой скоростью переключения.
Заключение: IPD320N20N3G обладает характеристиками высокой эффективности, высокого напряжения и низкого сопротивления проводимости, что делает его подходящим для высокопроизводительных преобразователей и инверторов постоянного тока.Это может повысить энергоэффективность системы., уменьшает потерю мощности и имеет более длительный срок службы.
Параметры:
Vds (max) = 200V (максимальное выдерживаемое напряжение)
Id=320A (максимальный ток оттока)
Rds (on) = 3,3m Ω (сопротивление проводимости)
Qg=230nC (заряд шлюза)
Vgs (th) = 4V (пороговое пороговое напряжение)
Ciss=12300pF (входной емкость)
Coss=1170pF (выходная емкость)
Crss=570pF (обратная емкость передачи)

Технические спецификации продукции

RoHS ЕС	Соответствует требованиям исключения
ECCN (США)	EAR99
Статус части	Не подтверждено
SVHC	Да, да.
СВХС превышает пороговое значение	Да, да.
Автомобильная промышленность	Нет, нет.
PPAP	Нет, нет.
Категория продукции	Мощность MOSFET
Конфигурация	Одинокий
Технологии обработки	OptiMOS 3
Режим канала	Улучшение
Тип канала	N
Количество элементов на чип	1
Максимальное напряжение источника отвода (V)	200
Максимальное напряжение источника входа (V)	¥20
Максимальное пороговое напряжение (V)	4
Тепловая температура рабочего перехода ( capturedC)	-55 до 175
Максимальный непрерывный ток оттока (A)	34
Максимальный ток утечки источника выхода (nA)	100
Максимальный IDSS (uA)	1
Максимальное сопротивление источника оттока (MOhm)	32@10В
Типичное зарядное устройство @ Vgs (nC)	22@10В
Типичное заряжение шлюза @ 10В (nC)	22
Типичная зарядка от входа до выхода (nC)	3
Типичная зарядка от выхода к источнику (nC)	8
Типичная обратная компенсационная плата (nC)	500
Типичная зарядка переключателя (nC)	5
Типичная емкость ввода @ Vds (pF)	1770@100В
Типичная обратная передатчивая емкость @ Vds (pF)	4@100В
Минимальное пороговое напряжение (V)	2
Типичная выходная емкость (pF)	135
Максимальное рассеивание мощности (мВт)	136000
Типичное время падения (ns)	4
Типичное время повышения (ns)	9
Типичное время задержки отключения (ns)	21
Типичное время задержки включения (ns)	11
Минимальная рабочая температура ( capturC)	-55
Максимальная рабочая температура ( capturedC)	175
Опаковка	Лента и катушка
Максимальный импульсный отводный ток @ TC=25 capturC (A)	136
Максимальное тепловое сопротивление окружающей среды на ПК ( capturC/W)	50
Типичное напряжение диода вперед (V)	0.9
Типичное напряжение плато врат (V)	4.4
Типичное время обратного восстановления (ns)	110
Максимальное напряжение диода вперед (V)	1.2
Типичное пороговое напряжение (V)	3
Максимальное положительное напряжение источника шлюза (V)	20
Установка	Поверхностный монтаж
Высота упаковки	2.41 (макс.)
Ширина пакета	6.22 (макс.)
Длина упаковки	6.73 (макс.)
Изменение ПХБ	2
Вкладка	Вкладка
Стандартное название пакета	TO-252
Пакет поставщиков	DPAK
Количество пин	3
Форма свинца	Ореховые

Метки товара: