Hi-Tech Optoelectronics Co., Ltd
Add to Cart
2В вывело наружу излучатель Унмоунтед лазерного диода длины волны силы 808нм одиночный
Лазеры полупроводника сентерпьесе большей части из сегодняшних промышленных систем лазера. Ли сразу материальная обработка или оптически нагнетать твердотельных лазеров, лазеров волокна или лазеров диска, унмоунтед одиночных излучателей и баров ключевой компонент для начального преобразования электрической энергии в свет.
ХТОЭ фокусирует на технологии вафли полупроводника с 1998, поставляет мультимодную наивысшую мощность на длинах волн между 635 и 1064нм. Излучатель унмоунтед лазерного диода ХТОЭ-Э-500-0808-ТЭ-002В-1000 одиночный превосходный выбор для клиентов ища представление государство--искусства для применений развития и клиента лазера. Он выводит наружу сила 2 ватт (КВ) на длине волны центра 808нм с узкой шириной излучателя μм 150.
Особенности
Экстренныйый выпуск конструировал для колоть в одиночные излучатели
Применения
Параметры (25℃)
| Параметр | Блок |
ХТОЭ-Э-500-0808-ТЭ-002В-1000 |
|
|---|---|---|---|
| Оптически параметр | Сила по выхода | мВ | 2000 |
| Разбивочное λк длины волны | нм | 808 ± 5 | |
| ⊥×θ∥ θ расхождения луча | дег | 38кс10 | |
| ТРЕСКА | В | ≥ 4,00 | |
| Геометрический | Ширина излучателя | μм | 150 |
| Ширина | μм | 500 | |
| Длина полости | μм | 1000 | |
| Электрический параметр | Эффективность ес наклона | В/А | ≥ 1,15 |
| Тх течения и порога | А | ≤ 0,6 | |
| Рабочий ток иф | А | ≤ 2,3 | |
| Рабочий потенциал вф | В | ≤ 2 | |
Извещение
1. Извещение о деталя: ХТОЭ-Э-500 (ширина) - 0808 (разбивочная длина волны) - ТЭ (режим) - 002В поляризации (сила выхода) - 1000 (длина полости).
2. Технические спецификации основаны на результате испытания под 25℃.
3. Технические спецификации основаны на испытании пакета К-держателя.
4. Для больше информации, пожалуйста контактируйте КО. оптической электроники Хи-техника, Лтд.