Hi-Tech Optoelectronics Co., Ltd
Add to Cart
ватт 500м, излучатель 808 нм Унмоунтед одиночный, Унмоунтед лазерный диод
Лазеры полупроводника сентерпьесе большей части из сегодняшних промышленных систем лазера. Ли сразу материальная обработка или оптически нагнетать твердотельных лазеров, лазеров волокна или лазеров диска, унмоунтед одиночных излучателей и баров ключевой компонент для начального преобразования электрической энергии в свет.
ХТОЭ фокусирует на технологии вафли полупроводника с 1998, поставляет мультимодную наивысшую мощность на длинах волн между 635 и 1064нм.
Параметры (25℃)
| Параметр | Блок | КЛДМ-0808-0500-02 | |
|---|---|---|---|
| Оптически параметр | Сила по выхода | мВ | 500 |
| Разбивочное λк длины волны | нм | 808 ± 5 | |
| ⊥×θ∥ θ расхождения луча | дег | 38кс10 | |
| ТРЕСКА | В | ≥ 1,00 | |
| Геометрический | Ширина излучателя | μм | 50 |
| Ширина | μм | 500 | |
| Длина полости | μм | 600 | |
| Электрический параметр | Эффективность ес наклона | В/А | ≥ 1,10 |
| Тх течения и порога | А | ≤ 0,12 | |
| Рабочий ток иф | А | ≤ 0,6 | |
| Рабочий потенциал вф | В | ≤ 1,9 | |
Извещение
1. Извещение о деталя: КЛДМ (модель) деталя - 0808 (разбивочная длина волны) - 0500 (сила выхода) - 02.
2. Технические спецификации основаны на результате испытания под 25℃.
3. Технические спецификации основаны на испытании пакета К-держателя.
4. Для больше информации, пожалуйста контактируйте КО. оптической электроники Хи-техника, Лтд.